公开(公告)号：CN118888865A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410934378.2

申请日：2024-07-11

Applicant: 株式会社AESC日本

Inventor： 张文晶

IPC: H01M10/0587 ,  H01M10/0585 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/13

Abstract: 本申请的实施例提供一种二次电池、电池组及电子装置，该二次电池包括：负极极片，负极极片包括负极集流体和负极活性物质层，负极活性物质层包括负极平直区和沿第一方向位于负极平直区的一端的负极削薄区；正极极片，正极极片包括正极集流体和正极活性物质层，正极活性物质层包括正极平直区和背离第一方向位于正极平直区一端的正极削薄区；隔膜，位于正极极片和负极极片之间；其中，沿第一方向，正极活性物质层包括超过负极平直区的伸出部，伸出部与负极削薄区沿垂直于第一方向的第二方向的正投影重叠，并且伸出部对应的负极削薄区的区域的削薄深度不大于9μm。本申请的上述技术方案，至少能够减少析锂，提高二次电池的能量密度。

公开(公告)号：CN222801933U

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202421709624.6

申请日：2024-07-18

Applicant: 株式会社AESC日本

Inventor： 张文晶 ,  单雪燕

IPC: H01M50/179 ,  H01M50/536 ,  H01M50/503

Abstract: 本实用新型提供一种二次电池、电池组及电子装置，该二次电池包括壳体、电极组件、集流构件；电极组件容纳于壳体内，电极组件包括正极极片、负极极片以及隔膜层叠并卷绕形成的卷绕结构，正极极片包括正极涂覆区和正极未涂覆区以及至少覆盖正极涂覆区和正极未涂覆区交界处的绝缘层，正极未涂覆区延伸至隔膜外，并向卷绕轴弯折形成正极未涂覆区堆叠区；集流构件与正极未涂覆区堆叠区焊接；绝缘层包括面向卷绕轴的第一绝缘层和背离卷绕轴的第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层均向正极未涂覆区堆叠区延伸，沿卷绕轴的方向，第一绝缘层的高度h1大于第二绝缘层的高度h2；可以改善正极极耳会在被压弯过程中产生坍塌后错的技术问题。