薄膜晶体管元件及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116195039A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202180060143.X

    申请日:2021-07-15

    Abstract: 薄膜晶体管元件具备栅极层(31)、氧化物半导体薄膜(4)、配置在栅极层与氧化物半导体薄膜之间的栅极绝缘膜(2)、与氧化物半导体薄膜接触的一对源极/漏极(51、52)、以及覆盖氧化物半导体薄膜的树脂膜(6)。氧化物半导体薄膜包含选自由In、Ga、Zn和Sn组成的组中的2种以上的金属元素。在氧化物半导体薄膜上涂布包含含有SiH基的化合物的组合物后,进行加热,由此形成树脂膜。形成树脂膜时的加热温度优选为190~450℃。组合物中的含有SiH基的化合物优选包含0.1mmol/g以上的SiH基。树脂膜可以具有SiH基。

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