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公开(公告)号:CN116195039A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202180060143.X
申请日:2021-07-15
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L21/312
Abstract: 薄膜晶体管元件具备栅极层(31)、氧化物半导体薄膜(4)、配置在栅极层与氧化物半导体薄膜之间的栅极绝缘膜(2)、与氧化物半导体薄膜接触的一对源极/漏极(51、52)、以及覆盖氧化物半导体薄膜的树脂膜(6)。氧化物半导体薄膜包含选自由In、Ga、Zn和Sn组成的组中的2种以上的金属元素。在氧化物半导体薄膜上涂布包含含有SiH基的化合物的组合物后,进行加热,由此形成树脂膜。形成树脂膜时的加热温度优选为190~450℃。组合物中的含有SiH基的化合物优选包含0.1mmol/g以上的SiH基。树脂膜可以具有SiH基。
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公开(公告)号:CN112689862A
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN201980057946.2
申请日:2019-09-05
Applicant: 株式会社钟化
Abstract: 在基板(10)上形成遮光性的着色树脂层(50),在着色树脂层上形成经图案化的保护层(6)。通过干蚀刻来去除在保护层的开口下露出的着色树脂层,对着色树脂层进行图案化,由此形成在经图案化的着色树脂层(5)上设置有保护层(6)的分隔壁(15)。该分隔壁是将图像显示装置的显示面分隔成多个区域的分隔壁,通过向被分隔壁(15)隔开的空间(81、82、83)中填充显色材料,从而形成图像显示装置。
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