电子装置及其制造方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101084558B

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200580043983.6

    申请日:2005-12-27

    Abstract: 制造在基材上设有含有导电性高分子的透明导电膜的电子装置的方法,所述透明导电膜具有第1区域及与所述第1区域相邻且电阻值比第1区域高的第2区域,该方法具有在所述基材上形成含有所述导电性高分子的所述透明导电膜的成膜工序,以及对所述透明导电膜的一部分照射紫外线,将照射部分作为所述第2区域,将非照射部分作为第1区域的紫外线照射工序,所述紫外线照射工序中,所述紫外线包括在导电性高分子的吸收图谱中吸光度为背景吸收2倍以上的吸收所示的波长。

    布线基板
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101455130A

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200780019253.1

    申请日:2007-05-28

    Abstract: 布线基板具有基板、形成在基板的一个面上的导电电路、覆盖该导电电路的绝缘层。在布线基板的嵌合部,在绝缘层上形成使导电电路的一部分露出的开口部。在开口部中,导电电路的一部分作为露出面从绝缘层中露出。在导电电路的露出面之上形成由导电性的部件构成的电极。电极其下面与导电电路接触,其上面在导电电路的布线宽度方向(W),以覆盖绝缘层的一部分的方式扩展。

    电子装置及其制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101084558A

    公开(公告)日:2007-12-05

    申请号:CN200580043983.6

    申请日:2005-12-27

    Abstract: 制造在基材上设有含有导电性高分子的透明导电膜的电子装置的方法,所述透明导电膜具有第1区域及与所述第1区域相邻且电阻值比第1区域高的第2区域,该方法具有在所述基材上形成含有所述导电性高分子的所述透明导电膜的成膜工序,以及对所述透明导电膜的一部分照射紫外线,将照射部分作为所述第2区域,将非照射部分作为第1区域的紫外线照射工序,所述紫外线照射工序中,所述紫外线包括在导电性高分子的吸收图谱中吸光度为背景吸收2倍以上的吸收所示的波长。

    布线基板
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101455130B

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN200780019253.1

    申请日:2007-05-28

    Abstract: 布线基板具有基板、形成在基板的一个面上的导电电路、覆盖该导电电路的绝缘层。在布线基板的嵌合部,在绝缘层上形成使导电电路的一部分露出的开口部。在开口部中,导电电路的一部分作为露出面从绝缘层中露出。在导电电路的露出面之上形成由导电性的部件构成的电极。电极其下面与导电电路接触,其上面在导电电路的布线宽度方向(W),以覆盖绝缘层的一部分的方式扩展。

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