公开(公告)号：CN104755485B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201380052746.0

申请日：2013-11-26

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 吉野智晴 ,  樱井淳 ,  白鸟翼 ,  畑濑雅子 ,  内生蔵广幸 ,  西田章浩

IPC: C07F5/06 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C07F5/069 ,  C23C16/06 ,  C23C16/403 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及下述通式(I)所示的铝化合物。另外，本发明涉及含有该铝化合物而成的薄膜形成用原料。下述通式(I)中，R1及R2各自独立地表示碳数为2～5的直链或支链状的烷基，R3表示甲基或乙基。优选R1及R2为乙基。本发明的化合物为低熔点，显示充分的挥发性且具有高的热稳定性，适合作为利用CVD法的薄膜形成用原料。

公开(公告)号：CN104755485A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380052746.0

申请日：2013-11-26

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 吉野智晴 ,  樱井淳 ,  白鸟翼 ,  畑濑雅子 ,  内生蔵广幸 ,  西田章浩

IPC: C07F5/06 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C07F5/069 ,  C23C16/06 ,  C23C16/403 ,  C23C16/44 ,  C23C16/12 ,  H01L21/28556

Abstract: 本发明涉及下述通式(I)所示的铝化合物。另外，本发明涉及含有该铝化合物而成的薄膜形成用原料。下述通式(I)中，R1及R2各自独立地表示碳数为2～5的直链或支链状的烷基，R3表示甲基或乙基。优选R1及R2为乙基。本发明的化合物为低熔点，显示充分的挥发性且具有高的热稳定性，适合作为利用CVD法的薄膜形成用原料。