公开(公告)号：CN101983263A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200980112030.9

申请日：2009-03-24

Applicant: 株式会社福田结晶技术研究所 ,  东京电波株式会社 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 三川丰 ,  福富敬次 ,  铃木崇雄 ,  伊藤浩久

IPC: C30B29/16 ,  C30B7/10

CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B7/10

Abstract: 本发明涉及锂浓度足够低且具有高结晶度的氧化锌单晶的简便的制造方法。本发明使用锂浓度为1ppm(重量基准)以下的溶液，将晶体生长温度的变化幅度控制在5℃以内、或是在300～370℃的温度范围内通过水热合成法使氧化锌晶体生长。

公开(公告)号：CN101522962A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780038372.1

申请日：2007-10-10

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 川端绅一郎 ,  伊藤浩久 ,  德克·埃伦特劳特 ,  镜谷勇二 ,  吉川彰 ,  福田承生

IPC: C30B29/38 ,  C30B7/10

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B7/10 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体的制造方法，其包括：控制加入了具有六方晶系晶体结构的晶种、含有氮元素的溶剂、包含周期表第13族金属元素的原料物质及矿化剂的高压釜内的温度及压力，以使所述溶剂达到超临界状态和/或亚临界状态，从而通过氨热性法使氮化物半导体在所述晶种的表面结晶生长的工序，其中，所述晶种上的m轴方向结晶生长速度为所述晶种上的c轴方向结晶生长速度的1.5倍以上。由此，能够高效、简便地制造具有大口径C面的氮化物半导体、及m轴方向较厚的氮化物半导体。