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公开(公告)号：CN104604134B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201380044765.9
申请日：2013-08-23
Applicant: 株式会社电装
IPC: H03K17/0814 , H03K17/082 , H03K17/16
CPC classification number: H03K17/0812 , H01L27/0629 , H01L29/2003 , H02M1/08 , H03K17/0412 , H03K17/08142 , H03K17/0822 , H03K17/166 , H03K2217/0027
Abstract: 半导体装置具备开关元件(5)、电压检测电路(6、31、34、37、40、43)、开关电路(8、73)及控制电路(9、23、27、83)。电压检测电路输出与施加在开关元件的第1、第2端子间的电压对应的检测电压。开关电路串联地设于与开关元件的栅极端子相连的栅极驱动线(10)，根据控制信号切换为高阻抗状态或低阻抗状态。控制电路当检测电压成为规定的阈值电压以下时输出将开关电路切换为低阻抗状态的控制信号，当检测电压超过阈值电压时输出将开关电路切换为高阻抗状态的控制信号。
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公开(公告)号：CN103124170B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210465122.9
申请日：2012-11-16
Applicant: 株式会社电装
IPC: H03K17/08
CPC classification number: H03K17/0822 , H03K17/08 , H03K2217/0027 , H03K2217/0045
Abstract: 一种功率半导体器件驱动电路包括栅极控制端子（5），所述栅极控制端子（5）被设置在与功率半导体器件（1）的漏极端子（1b）间隔开一预定距离的位置处，以使得生成浪涌时在所述漏极端子（1b）和所述栅极控制端子（5）之间生成放电。由于该放电的原因，浪涌电压被施加至所述栅极控制端子（5），所述功率半导体器件（1）的栅极被充电以导通并且吸收浪涌能量。因此，变得能够抑制施加至所述漏极端子（1b）的所述浪涌电压并且放置所述功率半导体器件（1）的击穿。
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公开(公告)号：CN104604134A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380044765.9
申请日：2013-08-23
Applicant: 株式会社电装
IPC: H03K17/0814 , H03K17/082 , H03K17/16
CPC classification number: H03K17/0812 , H01L27/0629 , H01L29/2003 , H02M1/08 , H03K17/0412 , H03K17/08142 , H03K17/0822 , H03K17/166 , H03K2217/0027
Abstract: 半导体装置具备开关元件(5)、电压检测电路(6、31、34、37、40、43)、开关电路(8、73)及控制电路(9、23、27、83)。电压检测电路输出与施加在开关元件的第1、第2端子间的电压对应的检测电压。开关电路串联地设于与开关元件的栅极端子相连的栅极驱动线(10)，根据控制信号切换为高阻抗状态或低阻抗状态。控制电路当检测电压成为规定的阈值电压以下时输出将开关电路切换为低阻抗状态的控制信号，当检测电压超过阈值电压时输出将开关电路切换为高阻抗状态的控制信号。
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公开(公告)号：CN103124170A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210465122.9
申请日：2012-11-16
Applicant: 株式会社电装
IPC: H03K17/08
CPC classification number: H03K17/0822 , H03K17/08 , H03K2217/0027 , H03K2217/0045
Abstract: 一种功率半导体器件驱动电路包括栅极控制端子（5），所述栅极控制端子（5）被设置在与功率半导体器件（1）的漏极端子（1b）间隔开一预定距离的位置处，以使得生成浪涌时在所述漏极端子（1b）和所述栅极控制端子（5）之间生成放电。由于该放电的原因，浪涌电压被施加至所述栅极控制端子（5），所述功率半导体器件（1）的栅极被充电以导通并且吸收浪涌能量。因此，变得能够抑制施加至所述漏极端子（1b）的所述浪涌电压并且放置所述功率半导体器件（1）的击穿。
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