公开(公告)号：CN102869966B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201180020816.5

申请日：2011-04-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 佐藤元树 ,  堀恒円 ,  葛冈馨 ,  小川千明 ,  井之口和宏

IPC: G01K7/22 ,  H01C7/04

CPC classification number: G01K7/02 ,  G01K1/12 ,  G01K7/22 ,  H01C1/148 ,  H01C7/008

Abstract: 一种温度传感器1包括：热敏元件2，该热敏元件由具有3×10-6/℃到5×10-6/℃的线性膨胀系数并且其电气特性取决于温度而改变的低热膨胀陶瓷构成；设置在热敏元件2的表面上的一对电极膜20；以及具有15×10-6/℃或更小的线性膨胀系数并且接合到电极膜20的一对引线。当热敏元件2、电极膜20和引线21的线性膨胀系数分别为Ta（/℃）、Tb（/℃）和Td（/℃）时，温度传感器1满足关系Ta≤Tb≤Td。

公开(公告)号：CN102939519A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180021071.4

申请日：2011-04-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 堀恒円 ,  葛冈馨 ,  小川千明 ,  佐藤元树 ,  山田胜则 ,  小林孝雄

IPC: G01K7/22 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/008 ,  G01K7/22 ,  H01C7/021

Abstract: 一种温度感测元件包括由Si基陶瓷构成的热敏电阻器，以及被接合到所述热敏电阻器的表面上的金属电极对。该金属电极包括Cr和具有高于Cr的Si扩散系数的Si扩散系数的金属元素α。在该热敏电阻和该金属电极对之间的接合界面中形成扩散层，该扩散层包括在Si基陶瓷的晶粒边界中的金属元素α的硅化物。提供了包括该扩散层的温度传感器。由于该扩散层，该温度传感器确保了耐热性和接合可靠性，并且使能在特别是从-50℃到1050℃的温度范围中具有高精度的温度检测。

公开(公告)号：CN102939519B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201180021071.4

申请日：2011-04-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 堀恒円 ,  葛冈馨 ,  小川千明 ,  佐藤元树 ,  山田胜则 ,  小林孝雄 ,  井之口和宏

IPC: G01K7/22 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/008 ,  G01K7/22 ,  H01C7/021

Abstract: 一种温度感测元件包括由Si基陶瓷构成的热敏电阻器，以及被接合到所述热敏电阻器的表面上的金属电极对。该金属电极包括Cr和具有高于Cr的Si扩散系数的Si扩散系数的金属元素α。在该热敏电阻和该金属电极对之间的接合界面中形成扩散层，该扩散层包括在Si基陶瓷的晶粒边界中的金属元素α的硅化物。提供了包括该扩散层的温度传感器。由于该扩散层，该温度传感器确保了耐热性和接合可靠性，并且使能在特别是从-50℃到1050℃的温度范围中具有高精度的温度检测。

公开(公告)号：CN102869966A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180020816.5

申请日：2011-04-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 佐藤元树 ,  堀恒円 ,  葛冈馨 ,  小川千明

IPC: G01K7/22 ,  H01C7/04

CPC classification number: G01K7/02 ,  G01K1/12 ,  G01K7/22 ,  H01C1/148 ,  H01C7/008

Abstract: 一种温度传感器1包括：热敏元件2，该热敏元件由具有3×10-6/℃到5×10-6/℃的线性膨胀系数并且其电气特性取决于温度而改变的低热膨胀陶瓷构成；设置在热敏元件2的表面上的一对电极膜20；以及具有15×10-6/℃或更小的线性膨胀系数并且接合到电极膜20的一对引线。当热敏元件2、电极膜20和引线21的线性膨胀系数分别为Ta（/℃）、Tb（/℃）和Td（/℃）时，温度传感器1满足关系Ta≤Tb≤Td。