栅极驱动装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112823469A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN201980066640.3

    申请日:2019-09-25

    Abstract: 栅极驱动装置具备一方的驱动部(10、125)、另一方的峰值电压检测部(14)以及一方的驱动能力控制部(12)。所述一方的驱动部驱动构成半桥电路(4、92)的上下臂的两个开关元件(5、6、93、103、113、114、123)中的一方的开关元件(5、113、123)的栅极。所述另一方的峰值电压检测部检测所述一方的开关元件导通时的另一方的开关元件(6、93、114)的主端子的峰值电压。所述一方的驱动能力控制部在由所述另一方的峰值电压检测部检测的主端子的峰值电压不超过根据所述另一方的开关元件的规格而确定的所述主端子的电压的允许值的范围内运算所述一方的驱动部的导通时的驱动能力的值,并且基于该运算结果变更所述一方的驱动部的导通时的驱动能力。

    栅极驱动装置
    2.
    发明公开
    栅极驱动装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115244838A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202180018207.X

    申请日:2021-02-24

    Abstract: 本发明提供一种栅极驱动装置。检测部(11、32、52、72)检测一方的半导体开关元件(5A、5B)的元件电压变化的变化期间中的元件电压的峰值或者变化率。判别部(12、33、53)判别变化期间中对于上述半导体开关元件的通电是正向通电还是反向通电。运算部(13、34、54、74、82、92)基于判别为上述通电是正向通电的变化期间中的上述检测部的检测值以及根据上述半导体开关元件的规格而决定的峰值的允许值或者变化率的允许值,对峰值或者变化率成为上述允许值以下那样的与开关速度对应的目标指令值进行运算。驱动部(14、35、55、75)基于由上述运算部运算出的目标指令值,变更上述半导体开关元件的栅极电阻值或者栅极电流值,并驱动上述半导体开关元件的栅极。

    栅极驱动装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112823469B

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN201980066640.3

    申请日:2019-09-25

    Abstract: 栅极驱动装置具备一方的驱动部(10、125)、另一方的峰值电压检测部(14)以及一方的驱动能力控制部(12)。所述一方的驱动部驱动构成半桥电路(4、92)的上下臂的两个开关元件(5、6、93、103、113、114、123)中的一方的开关元件(5、113、123)的栅极。所述另一方的峰值电压检测部检测所述一方的开关元件导通时的另一方的开关元件(6、93、114)的主端子的峰值电压。所述一方的驱动能力控制部在由所述另一方的峰值电压检测部检测的主端子的峰值电压不超过根据所述另一方的开关元件的规格而确定的所述主端子的电压的允许值的范围内运算所述一方的驱动部的导通时的驱动能力的值,并且基于该运算结果变更所述一方的驱动部的导通时的驱动能力。

    栅极驱动装置
    4.
    发明公开
    栅极驱动装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117318685A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202310768420.3

    申请日:2023-06-27

    Inventor: 秋山博则

    Abstract: 栅极驱动装置(4)具备:运算电路(11),其输出电流指令信号,并且,以将开闭时的瞬态电压控制为目标值的方式切换电流指令信号所表示的指令值;预驱动电路(14),其生成与电流指令信号对应的驱动信号并输出;以及驱动电路(15),其基于驱动信号来对半导体开关元件(7)的栅极进行驱动。驱动电路通过将包括渥尔曼电路的结构的输出电路(16a~16c)彼此并联连接而构成,其中,所述渥尔曼电路是将两个MOS晶体管共源共栅连接而成的电路,驱动电路通过将这些MOS晶体管导通,由此流通栅极电流来对半导体开关元件的栅极进行驱动。驱动电路通过根据驱动信号所表示的指令值变更要导通的MOS晶体管的数量来变更栅极电流。

    半导体装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109874371B

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201780058143.X

    申请日:2017-07-28

    Inventor: 秋山博则

    Abstract: 半导体装置具备:多个开关元件(11、12),相互被电气地并联连接;控制部(30),输出用来控制多个开关元件的通电电流的控制信号;以及温度推算部(40),推算多个开关元件之间的温度差。控制部根据推算的温度差为规定的阈值温度以上而转移为将温度相对较高的开关元件的驱动停止的停止模式。

    半导体装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109874371A

    公开(公告)日:2019-06-11

    申请号:CN201780058143.X

    申请日:2017-07-28

    Inventor: 秋山博则

    Abstract: 半导体装置具备:多个开关元件(11、12),相互被电气地并联连接;控制部(30),输出用来控制多个开关元件的通电电流的控制信号;以及温度推算部(40),推算多个开关元件之间的温度差。控制部根据推算的温度差为规定的阈值温度以上而转移为将温度相对较高的开关元件的驱动停止的停止模式。

    栅极驱动装置
    7.
    发明公开
    栅极驱动装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115967383A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202211221190.0

    申请日:2022-10-08

    Abstract: 本文公开了一种栅极驱动装置,栅极驱动装置驱动半导体开关元件的栅极,并且在切换半导体开关元件时将与半导体开关元件的主端子的电压对应的瞬态电压控制到瞬态电压的目标值。栅极驱动装置包括计算电路、驱动电路、检测电路和学习电路。计算电路执行预定的计算模式以计算用于对半导体开关元件的栅极驱动速度进行操作的操作量。驱动电路根据该操作量驱动半导体开关元件的栅极。检测电路检测瞬态电压。学习电路基于由计算电路计算出的操作量和由检测电路检测出的瞬态电压来执行学习处理以改变预定的计算模式。

    栅极驱动装置
    8.
    发明公开
    栅极驱动装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115622544A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202210825382.6

    申请日:2022-07-13

    Inventor: 秋山博则

    Abstract: 改变率控制电路(13、73、102)计算为驱动对象元件的栅极的栅极驱动速度的第一驱动速度,用于将驱动对象元件的元件电压在改变时段期间的改变率控制在目标改变率。定时生成电路(14、76、92)预先获取栅极被驱动时引起的延迟时间,且确定在驱动对象元件截止期间且元件电压达到比期望的切换电压低预定值的切换阈值电压的切换定时,并且生成表示切换定时的定时信号。变速电路(15),在驱动对象元件截止期间的切换定时,将栅极驱动速度从第一驱动速度改变为第二驱动速度。

    栅极驱动装置
    9.
    发明公开
    栅极驱动装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115211009A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202180018405.6

    申请日:2021-02-24

    Abstract: 本发明提供一种栅极驱动装置。电压检测部(11)检测半导体开关元件(5A、5B)开关时的上述半导体开关元件的主端子的电压即元件电压的峰值或者变化率。最大值取得部(12、32、42、52、62)取得由上述电压检测部在包括上述半导体开关元件进行多次开关的期间在内的规定的检测期间中检测到的多个峰值或者多个变化率中的最大值并输出。运算部(14、34、74)对上述半导体开关元件的栅极电阻或者栅极电流的值进行运算,以使从上述最大值取得部输出的最大值与根据上述半导体开关元件的规格而决定的峰值的目标值或者变化率的目标值之间的偏差变小。驱动部(15)基于上述运算部的运算结果来变更上述半导体开关元件的栅极电阻值或者栅极电流值,并驱动上述半导体开关元件的栅极。

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