多层基板
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108476592B

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201680075289.0

    申请日:2016-11-30

    Abstract: 一种多层基板,第一连接盘(132)以及第一接地图案(121)隔着第一绝缘层(21)通过电容耦合而产生第一寄生电容CLAND。而且,该第一寄生电容CLAND为抑制相对于第一传输线路(131)的导通孔部分的电感成分的变化所引起的导通孔部分的阻抗的变化的规定电容。由此,通过由于第一连接盘(132)和第一接地图案(121)而产生的第一寄生电容CLAND的调整,能够使导通孔部分的阻抗与第一传输线路(131)的阻抗匹配。因此,能够不需要在多层基板(10)设置贯通导通孔等的空洞便防止在多层基板(10)的传输特性的恶化。

    多层基板以及该多层基板的制造方法

    公开(公告)号:CN108476592A

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201680075289.0

    申请日:2016-11-30

    CPC classification number: H05K1/02 H05K3/46

    Abstract: 一种多层基板,第一连接盘(132)以及第一接地图案(121)隔着第一绝缘层(21)通过电容耦合而产生第一寄生电容CLAND。而且,该第一寄生电容CLAND为抑制相对于第一传输线路(131)的导通孔部分的电感成分的变化所引起的导通孔部分的阻抗的变化的规定电容。由此,通过由于第一连接盘(132)和第一接地图案(121)而产生的第一寄生电容CLAND的调整,能够使导通孔部分的阻抗与第一传输线路(131)的阻抗匹配。因此,能够不需要在多层基板(10)设置贯通导通孔等的空洞便防止在多层基板(10)的传输特性的恶化。

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