半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116157921A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202180060515.9

    申请日:2021-06-14

    Abstract: 构成电力变换部的上下臂电路的半导体元件具有作为控制电极的栅极电极和作为主电极的漏极电极及源极电极。栅极电极与漏极电极之间的寄生电容Cgd具有对应于漏极电极与源极电极之间的电压Vds而变化的特性。电压Vds为击穿电压BV的80%时的寄生电容Cgd的值即电容值C1大于电压Vds为击穿电压BV的20%~40%的范围中的寄生电容Cgd的任意的值即电容值C2。

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