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公开(公告)号：CN1518124A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03132730.3
申请日：2003-09-30
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L29/735 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/41708 , H01L29/735
Abstract: 本发明的目的在于：即使在长时间持续使用的情况下，也能够提供电流放大系数的变化较小的横向晶体管。本发明的横向晶体管在LOCOS氧化膜(场绝缘膜)12上形成多晶硅层14，多晶硅层14从集电极区5朝向发射极区6，覆盖集电极区5和基极区4。进而，为了使该多晶硅层14与发射极区6电连接，用布线15将多晶硅层14与发射极区6联结起来。
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