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公开(公告)号：CN101662260A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910166618.4
申请日：2009-08-24
申请人： 株式会社瑞萨科技
CPC分类号： H03J3/20 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03B5/1265 , H03B5/1293 , H03J2200/10
摘要： 本发明提供一种降低了芯片占有面积、且降低了控制振荡器(DCO)的控制增益的偏差的半导体集成电路。半导体集成电路具备数字控制振荡器(DCO)，DCO包括振荡元件(NM1、NM2)和谐振电路(20)。谐振电路(20)包括电感(L11、L12)、频率粗调用可变电容阵列(CCT11)、频率微调用可变电容阵列(CFT11)。粗调用可变电容阵列(CCT11)包括多个粗调电容单位单元(CCT 、CCT ...)，微调用可变电容阵列(CFT11)包括多个微调电容单位单元(CFT 、CFT ...)。粗调用可变电容阵列(CCT11)的多个粗调电容单位单元的电容值是按照二进制权重(2 M-1 )设定的，微调用可变电容阵列(CFT11)的上述多个微调电容单位单元的电容值是按照二进制权重(2 N-1 )设定的。
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公开(公告)号：CN100530648C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510086083.1
申请日：2005-07-19
申请人： 株式会社瑞萨科技
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L23/5227 , H01F17/0006 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03B5/1271 , H01L2924/00
摘要： 提供一种减低因电感器引起的干扰并高性能化的装载高频电路的半导体装置。半导体装置具备：调制电路，用来通过基带信号对载波进行调制并输出RF信号；解调电路，用来采用载波对RF信号进行解调并获得基带信号；局部振荡电路，用来生成上述载波；在这种半导体装置中，使用具有闭合布线的电感器。采用闭合布线，来减低通过互感而产生的干扰。例如，在对调制电路使用电感器(61、62)时，在包围电感器的外围配置闭合布线(63)。
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公开(公告)号：CN1964183A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610144470.0
申请日：2006-11-08
申请人： 株式会社瑞萨科技
CPC分类号： H03J3/20 , H03B5/1215 , H03B5/1218 , H03B5/1228 , H03B5/1231 , H03B5/1243 , H03B5/1253 , H03B5/1265 , H03B5/1293 , H03B5/1296 , H03B2201/0208 , H03B2201/0216 , H03D3/007 , H03J2200/10
摘要： 本发明提供一种用于频率转换增益的变动少的振荡器的LC谐振电路、使用了该LC谐振电路的振荡器、以及信息设备。振荡器的LC谐振电路，包括电感器(L1)、具有第1微调电容和第1电容组的并联电容、以及具有第2微调电容和第2电容组的串联电容。振荡器的频率转换增益，为基于随着第1电容组的电容值变大而降低的第1微调电容的频率转换增益，与基于随着第2电容组的电容值变大而增大的第2微调电容的频率转换增益之和。
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公开(公告)号：CN1738046A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510086083.1
申请日：2005-07-19
申请人： 株式会社瑞萨科技
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L23/5227 , H01F17/0006 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03B5/1271 , H01L2924/00
摘要： 提供一种减低因电感器引起的干扰并高性能化的装载高频电路的半导体装置。半导体装置具备：调制电路，用来通过基带信号对载波进行调制并输出RF信号；解调电路，用来采用载波对RF信号进行解调并获得基带信号；局部振荡电路，用来生成上述载波；在这种半导体装置中，使用具有闭合布线的电感器。采用闭合布线，来减低通过互感而产生的干扰。例如，在对调制电路使用电感器(61、62)时，在包围电感器的外围配置闭合布线(63)。
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