公开(公告)号：CN117751460A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280050553.0

申请日：2022-07-14

Applicant: 株式会社村田制作所 ,  宾夕法尼亚大学理事会

Inventor： 布伦丹·博伊斯·墨菲 ,  弗莱维娅·瓦伊塔尔 ,  藤胁未伽 ,  部田武志 ,  杉浦宏介 ,  岛崎淑子

IPC: H01M4/02 ,  A61B5/263

Abstract: 提供了一种电极，其包括π电子共轭化合物膜与导电膜的层压体，所述导电膜包含包括一个或多个层的层状材料的粒子，所述一个或多个层包括：由下式MmXn表示的层本体，其中M是第3、4、5、6或7族的至少一种金属，X是碳原子、氮原子或其组合，n为不小于1且不大于4，并且m为大于n但不大于5；和在所述层本体的表面上存在的修饰或末端T，其中T是选自由以下各项组成的组中的至少一种：羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子，并且其中所述π电子共轭化合物膜包含具有选自由以下各项组成的组中的至少一种的π电子共轭化合物：芳族环、杂芳族环、碳‑碳双键、碳‑碳三键和碳‑磷双键。

公开(公告)号：CN116745864B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202280009193.X

申请日：2022-01-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 阿部匡矩 ,  部田武志 ,  岛崎淑子 ,  坂本宙树

IPC: H01B1/00 ,  H01B13/00 ,  H01B5/00 ,  H01B1/20 ,  H01B1/06

Abstract: 提供一种导电性膜，其含MXene，初始电导率高，并且，能够维持高电导率。所述导电性膜，是包含具有1个或多个层的层状材料的粒子的导电性膜，所述层包括：由下式：MmXn(式中，M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属，X是碳原子、氮原子或它们的组合，n为1以上且4以下，m大于n并在5以下)表示的层主体；存在于该层主体的表面的修饰或末端T(T是从羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子所构成的群中选择的至少一种)，导电性膜含有从Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W和Y所构成的群中选择的一种以上的过渡元素。

公开(公告)号：CN116745864A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202280009193.X

申请日：2022-01-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 阿部匡矩 ,  部田武志 ,  岛崎淑子 ,  坂本宙树

IPC: H01B1/06

Abstract: 提供一种导电性膜，其含MXene，初始电导率高，并且，能够维持高电导率。所述导电性膜，是包含具有1个或多个层的层状材料的粒子的导电性膜，所述层包括：由下式：MmXn(式中，M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属，X是碳原子、氮原子或它们的组合，n为1以上且4以下，m大于n并在5以下)表示的层主体；存在于该层主体的表面的修饰或末端T(T是从羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子所构成的群中选择的至少一种)，导电性膜含有从Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W和Y所构成的群中选择的一种以上的过渡元素。

公开(公告)号：CN119256373A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202380042279.7

申请日：2023-03-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 平山真优 ,  藤胁未伽 ,  岛崎淑子 ,  部田武志

IPC: H01B1/16 ,  A61B5/263 ,  H01B13/00 ,  H01G11/22 ,  H01G11/86 ,  H01M4/136 ,  H01M4/1397

Abstract: 本发明的目的在于提供阻抗低的电极，优选目的在于提供表面阻抗低的电极。本发明的电极具备包含二维粒子的膜，上述二维粒子至少具有金属阳离子以及1个或多个层，上述层包含下式：MmXn（式中，M为至少1种第3、4、5、6、7族金属，且至少包含Ti原子，X为碳原子、氮原子或它们的组合，n为1以上且4以下，m大于n且为5以下）所示的层主体和存在于该层主体的表面的修饰或末端T（T为选自羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子中的至少1种），上述金属阳离子包含Li阳离子，上述二维粒子中的Li阳离子的含量相对于Ti原子100摩尔为5.4摩尔以上。

公开(公告)号：CN119137685A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202380038615.0

申请日：2023-03-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 杉浦宏介 ,  藤胁未伽 ,  岛崎淑子 ,  部田武志

IPC: H01B1/20 ,  A61B5/263 ,  H01B1/02 ,  H01B5/16 ,  H01G11/30 ,  H01G11/38 ,  H01M4/02 ,  H01M4/13 ,  H01M4/62

Abstract: 本发明提供一种包含MXene和聚合物、且为高强度且低阻抗的新型膜。一种膜，其为包含二维材料的粒子(10、10a、10b)和聚合物(11)的膜(20)，上述二维材料的粒子包含1个或多个层(7a、7b)，上述层包括：由式子MmXn(式中，M为至少1种的第3、4、5、6、7族金属，X为碳原子、氮原子或它们的组合，n为1以上且4以下，m大于n且为5以下)表示的层主体(1a、1b)以及存在于该层主体的表面的修饰或末端T(3a、3b、5a、5b)(T为选自羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子中的至少1种)，上述聚合物具有阴离子性官能团和阳离子性官能团，上述膜中的上述聚合物相对于上述二维材料的粒子和上述聚合物的合计的比例为5体积％以上且70体积％以下。