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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108114915B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201711189467.5
申请日：2017-11-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及电子部件筛选方法及装置、编带电子部件串列的制造装置，能够进行考虑了退磁处理的筛选。使施加有偏压的测定端子(T1、T2)与电子部件(40)的外部电极(42、43)接触来对与测定端子接触的外部电极的接触部分进行清洁，并经由测定端子测定电子部件的阻抗值。将与电子部件对应的上限筛选阈值以及下限筛选阈值和测定出的阻抗值进行比较来判定电子部件的优劣，筛选合格的电子部件。基于用于电子部件出厂的出厂上限阈值和出厂下限阈值以及在电子部件的退磁中阻抗变化的退磁变化率，通过下式来设定上限筛选阈值和下限筛选阈值，上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+退磁变化率)，下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+退磁变化率)。
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公开(公告)号：CN108114915A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711189467.5
申请日：2017-11-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及电子部件筛选方法及装置、编带电子部件串列的制造装置，能够进行考虑了退磁处理的筛选。使施加有偏压的测定端子(T1、T2)与电子部件(40)的外部电极(42、43)接触来对与测定端子接触的外部电极的接触部分进行清洁，并经由测定端子测定电子部件的阻抗值。将与电子部件对应的上限筛选阈值以及下限筛选阈值和测定出的阻抗值进行比较来判定电子部件的优劣，筛选合格的电子部件。基于用于电子部件出厂的出厂上限阈值和出厂下限阈值以及在电子部件的退磁中阻抗变化的退磁变化率，通过下式来设定上限筛选阈值和下限筛选阈值，上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+退磁变化率)，下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+退磁变化率)。
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公开(公告)号：CN108735422A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810348836.9
申请日：2018-04-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 长田孝则
Abstract: 本发明不管输送的电子部件的姿势如何都减少该电子部件的磁性。退磁装置(13)具有铁芯(81)和卷绕于铁芯(81)的线圈(91)，并对线圈(91)供给交流电流。铁芯(81)配置于所输送的编带电子部件串列(33)(载带(31))的下方。退磁装置(13)形成垂直于载带(31)方向上的交变磁场(垂直磁场、第一交变磁场)和与载带(31)平行的交变磁场(水平磁场、第二交变磁场)。对电子部件(40)施加第一交变磁场和与该第一交变磁场正交的第二交变磁场。
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公开(公告)号：CN106133856A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580016038.0
申请日：2015-03-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/248 , H01F17/04 , H01F27/292 , H01G4/005 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种可以抑制成为外部电极的镀覆膜的镀覆生长尺寸的偏差的电子部件。外部电极(41、42)包含以通过电解镀覆形成为从电子部件基体(32)的端面(37、38)分别延伸到侧面(3～6)的镀覆膜(43、44)。作为成为用于形成镀覆膜的镀覆生长的起点的种子电极，形成镀覆生长的程度相对较高的基底主电极(61、62)和镀覆生长的程度相对较低的基底副电极(63、64)。基底主电极由端面基底电极(45、46)和分别与这些端面基底电极电连接的第一侧面基底电极(47a、48a)提供，基底副电极由第二侧面基底电极(47b、48b)提供。成为基底副电极的第二侧面基底电极(47b、48b)位于沿镀覆膜(43、44)的边缘(43a、44a)。
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公开(公告)号：CN106133856B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201580016038.0
申请日：2015-03-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种可以抑制成为外部电极的镀覆膜的镀覆生长尺寸的偏差的电子部件。外部电极(41、42)包含以通过电解镀覆形成为从电子部件基体(32)的端面(37、38)分别延伸到侧面(33～36)的镀覆膜(43、44)。作为成为用于形成镀覆膜的镀覆生长的起点的种子电极，形成镀覆生长的程度相对较高的基底主电极(61、62)和镀覆生长的程度相对较低的基底副电极(63、64)。基底主电极由端面基底电极(45、46)和分别与这些端面基底电极电连接的第一侧面基底电极(47a、48a)提供，基底副电极由第二侧面基底电极(47b、48b)提供。成为基底副电极的第二侧面基底电极(47b、48b)位于沿镀覆膜(43、44)的边缘(43a、44a)。
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