公开(公告)号：CN115461829B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202180031685.4

申请日：2021-03-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 土生大树 ,  野村圭辅

IPC: H01G4/30 ,  C04B35/462 ,  H01B3/12

Abstract: 电介质组合物含有由(BixNa1‑x)TiO3－CaTiO3表示且具有钙钛矿结构的复合氧化物作为主成分，并且含有选自BaZrO3、SrZrO3、CaZrO3、NaNbO3和NaTaO3中的至少1种的具有钙钛矿结构的复合氧化物作为副成分。包含BaZrO3、NaNbO3或NaTaO3时的容许因子t满足0.9016≤t≤0.9035的关系，包含SrZrO3时的容许因子t满足0.9005≤t≤0.9025的关系，包含CaZrO3时的容许因子t满足0.9000≤t≤0.9020的关系。

公开(公告)号：CN118871404A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380016493.5

申请日：2023-11-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 寺西贵志 ,  野村圭辅 ,  池田润

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/457 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种能够同时实现低介电损耗角正切和高相对介电常数的电介质陶瓷。具有包含由(TixSn1‑x)O2(0.40≤x≤0.60)表示的金红石型化合物作为主成分且进一步包含Nb的组成，剖视图中包括：由式(1)定义的A为0.55以上的富Ti相所构成的区域以及由式(2)定义的B为0.55以上的富Sn相所构成的区域，并且，满足式(3)～式(5)。A＝(Ti的含量(atom％))/(Ti与Sn的合计含量(atom％))(1)；B＝(Sn的含量(atom％))/(Ti与Sn的合计含量(atom％))(2)；0.005mol％≤y≤0.020mol％(3)；16nm≤DTi≤20nm(4)；15nm≤DSn≤19nm(5)；y(mol％)是将上述金红石型化合物的含量设为100mol％时的Nb的含量，DTi(nm)为富Ti相区域的平均尺寸，DSn(nm)为富Sn相区域的平均尺寸。

公开(公告)号：CN115461829A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180031685.4

申请日：2021-03-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 土生大树 ,  野村圭辅

IPC: H01G4/30 ,  C04B35/462 ,  H01B3/12

Abstract: 电介质组合物含有由(BixNa1‑x)TiO3－CaTiO3表示且具有钙钛矿结构的复合氧化物作为主成分，并且含有选自BaZrO3、SrZrO3、CaZrO3、NaNbO3和NaTaO3中的至少1种的具有钙钛矿结构的复合氧化物作为副成分。包含BaZrO3、NaNbO3或NaTaO3时的容许因子t满足0.9016≤t≤0.9035的关系，包含SrZrO3时的容许因子t满足0.9005≤t≤0.9025的关系，包含CaZrO3时的容许因子t满足0.9000≤t≤0.9020的关系。