半导体装置和半导体模块
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118765437A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202380023857.2

    申请日:2023-02-24

    Abstract: 在作为第1绝缘层的一个面的第1面上配置有器件层。器件层包括包含多个源极区域和多个漏极区域的晶体管、与多个源极区域的表面的源极接触区域连接的源极接触电极、与多个漏极区域的表面的漏极接触区域连接的漏极接触电极、多个布线以及多个导通孔。在第1绝缘层的与第1面相反的那一侧的第2面接合有绝缘构件。将在第2面具有顶点、以与第2面垂直的直线为中心轴线、以相对于中心轴线形成45°的角度且朝向绝缘构件的射线为母线的圆锥面定义为判定基准圆锥面。将与第2面垂直的方向设为厚度方向,绝缘构件的侧面的厚度方向的整体范围在周向的至少一部分范围位于比以第2面上的位于包含多个源极接触区域和多个漏极接触区域中的全部区域的面积最小的最小包含长方形的几何中心的正下方的点为顶点的判定基准圆锥面靠外侧的位置。

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