公开(公告)号：CN112242250A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010689062.3

申请日：2020-07-16

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 笹林武久 ,  五味健二郎 ,  木村健二 ,  大岛航

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/49 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明提供一种层叠型电子部件。电介质层具有存在作为稀土类元素的Re固溶了的第1区域R1和Re未固溶的第2区域R2的多个晶粒。多个晶粒的中值直径相对于电介质层的平均厚度的比t为0.5～0.7。在电介质层的剖面中，第1区域的剖面面积之和相对于多个晶粒的剖面面积之和的比s为0.7～0.9。在电介质层中，在将Ti、Zr以及Hf的合计量设为100摩尔份时，Zr的量和Hf的量之和a为0～1.0。Si的量b为0.1～1.0。Re的量c为0.5～10.0。Ba和Re的合计量相对于Ti、Zr以及Hf的合计量的比m为0.990～1.050。

公开(公告)号：CN112242250B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202010689062.3

申请日：2020-07-16

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 笹林武久 ,  五味健二郎 ,  木村健二 ,  大岛航

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/49 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明提供一种层叠型电子部件。电介质层具有存在作为稀土类元素的Re固溶了的第1区域R1和Re未固溶的第2区域R2的多个晶粒。多个晶粒的中值直径相对于电介质层的平均厚度的比t为0.5～0.7。在电介质层的剖面中，第1区域的剖面面积之和相对于多个晶粒的剖面面积之和的比s为0.7～0.9。在电介质层中，在将Ti、Zr以及Hf的合计量设为100摩尔份时，Zr的量和Hf的量之和a为0～1.0。Si的量b为0.1～1.0。Re的量c为0.5～10.0。Ba和Re的合计量相对于Ti、Zr以及Hf的合计量的比m为0.990～1.050。