公开(公告)号：CN111771289A

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201980015812.4

申请日：2019-02-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 泷本直美 ,  松冈高广 ,  串间贵仁 ,  大原达也 ,  安藤翔太 ,  中野浩之

IPC: H01L33/00 ,  H01G4/33 ,  H01G4/40 ,  H01S5/022

Abstract: 本发明提供一种能够实现所输出的光的短脉冲化的发光装置。本发明的发光装置(100)具备：电容器(10)；一个以上的固体发光元件(20)，通过从电容器(10)供电而发光；以及半导体开关(30)，控制从电容器(10)向固体发光元件(20)的供电。进一步，将固体发光元件(20)载置于电容器(10)的外表面，并将半导体开关(30)载置于电容器(10)的外表面或者设置于电容器(10)的内部，电容器(10)在外部电极(11)、(12)之间具有用于串联连接固体发光元件(20)和半导体开关(30)的连接电极(32)。

公开(公告)号：CN118043969A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280066716.4

申请日：2022-09-29

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 大原达也

IPC: H01L27/04

Abstract: 瞬态电压吸收元件(11)具备半导体基板(Sub)、形成在该半导体基板(Sub)的表面的外延层(Epi)、形成在该外延层(Epi)的p+区域及n+区域、形成于半导体基板(Sub)的埋入层(BL)、以及沟槽(TR)。由外延层(Epi)、p+区域及n+区域构成分别包括它们的多个二极管，沟槽(TR)从外延层(Epi)的表面侧到达埋入层(BL)而将二极管之间分离，埋入层(BL)的杂质浓度比半导体基板(Sub)高，且在相邻的二极管之间分离。

公开(公告)号：CN116830407A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202280012024.1

申请日：2022-01-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 安藤翔太 ,  松冈高广 ,  大原达也

IPC: H01S5/042

Abstract: 本发明的发光装置(101)具备分别形成于基板(1)的固体发光元件(LD1)、驱动电容器(C1、C2)以及开关元件(Q1)，通过开关元件(Q1)接通，形成使驱动电容器(C1、C2)的充电电荷向固体发光元件(LD1)放电的驱动电流环路，驱动电容器(C1、C2)分别蓄积针对固体发光元件(LD1)的驱动电荷并相互并联连接，由电容器(C1、C2)中的各电容器、固体发光元件(LD1)以及开关元件(Q1)构成多个驱动电流环路。电容器(C1、C2)的电容分别实质上相等，电容器(C1、C2)形成于以固体发光元件(LD1)为中心的实质上等距离的位置。

公开(公告)号：CN111771289B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201980015812.4

申请日：2019-02-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 泷本直美 ,  松冈高广 ,  串间贵仁 ,  大原达也 ,  安藤翔太 ,  中野浩之

IPC: H01L33/00 ,  H01G4/33 ,  H01G4/40 ,  H01S5/0239

Abstract: 本发明提供一种能够实现所输出的光的短脉冲化的发光装置。本发明的发光装置(100)具备：电容器(10)；一个以上的固体发光元件(20)，通过从电容器(10)供电而发光；以及半导体开关(30)，控制从电容器(10)向固体发光元件(20)的供电。进一步，将固体发光元件(20)载置于电容器(10)的外表面，并将半导体开关(30)载置于电容器(10)的外表面或者设置于电容器(10)的内部，电容器(10)在外部电极(11)、(12)之间具有用于串联连接固体发光元件(20)和半导体开关(30)的连接电极(32)。

公开(公告)号：CN118043968A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280066698.X

申请日：2022-09-29

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 大原达也

IPC: H01L27/04 ,  H02H9/04

Abstract: 与信号线串联连接且分流连接在信号线与基准电位之间的瞬态电压吸收元件(101A)具备基材、形成于基材且与信号线(SL)连接的第一输入输出端子(T1)、形成于基材且与信号线(SL)连接的第二输入输出端子(T2)、形成于基材且与基准电位连接的基准电位连接端子(T3)、形成于基材的内部且电连接在第一输入输出端子(T1)与第二输入输出端子(T2)之间的内部信号线(SLO)、以及连接在内部信号线(SLO)与基准电位连接端子(T3)之间的浪涌吸收元件。在第一输入输出端子(T1)与第二输入输出端子(T2)之间产生的寄生电容分量(Cp1、Cp2)的在内部信号线(SLO)传播的信号的频带中的阻抗的大小比内部信号线(SLO)的电阻分量(R1、R2)小。

公开(公告)号：CN117859205A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202280056652.X

申请日：2022-08-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 大原达也

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L27/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 过渡电压吸收元件(11)具备：半导体基板(Sub)；外延层(Epi)，形成在该半导体基板(Sub)的表面；和p+区域以及n+区域，形成在该外延层(Epi)，由外延层(Epi)、p+区域以及n+区域构成浪涌吸收用二极管。而且，过渡电压吸收元件(11)具备从外延层(Epi)的表面到达半导体基板(Sub)的沟槽(TR)。

公开(公告)号：CN117836944A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280056682.0

申请日：2022-08-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 大原达也

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/329 ,  H01L21/822 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L29/868 ,  H01L29/92 ,  H02H9/04

Abstract: 过渡电压吸收元件(11)具备第1路径(1)以及第2路径(2)，第1路径(1)是流过浪涌电流的电流路径，第2路径(2)是在信号线(SL)传播的信号的频带下的电流路径，第1路径(1)包含由包含耗尽层电容的二极管(BD)、第1电感器(L1)以及第1电阻成分(R1)构成的串联电路，第2路径(2)包含由电容(C2)、第2电感器(L2)以及第2电阻成分(R2)构成的串联电路。第1电阻成分(R1)的电阻值比第2电阻成分(R2)的电阻值高。

公开(公告)号：CN117178359A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202280028181.1

申请日：2022-03-30

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 大原达也

IPC: H01L27/04

Abstract: 本发明涉及瞬态电压吸收元件以及瞬态电压吸收电路。瞬态电压吸收元件(11)被分流地连接在信号线(SL)与基准电位之间，在该信号线串联地连接有电感器(La、Lb)。在分流地连接在信号线(SL)与基准电位之间的第一路径(1)中具备串联连接的包含第一杂散电容的二极管(BD)、第一寄生电感器(L1)以及第一寄生电阻(R1)。在分流地连接在信号线(SL)与基准电位之间的第二路径(2)中具备串联连接的第二杂散电容(C2)、第二寄生电感器(L2)以及第二寄生电阻(R2)。形成在信号线(SL)与基准电位之间的路径的电容性存在频率依赖性，该路径的电容性在信号线(SL)中传播的信号的频带中比在信号的频带以外的频带中小。