-
公开(公告)号:CN102307825A
公开(公告)日:2012-01-04
申请号:CN201080007906.6
申请日:2010-02-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 勝部毅
IPC: C04B35/14 , C04B35/195 , H01B3/12 , H05K1/03 , H05K3/46
CPC classification number: H05K1/0306 , B32B18/00 , C04B35/14 , C04B35/195 , C04B35/62645 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/6025 , C04B2235/6584 , C04B2235/72 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C04B2237/341 , H05K3/4629 , Y10T428/24926
Abstract: 一种构成具备外部导体膜(4)的多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的低温烧结陶瓷烧结体,其中,该低温烧结陶瓷烧结体由非玻璃系的低温烧结陶瓷材料烧结形成,并析出了石英(Quartz)、氧化铝(Alumina)和硅钛钡石(Fresnoite)的各结晶相。由于陶瓷层(2)是非玻璃系的低温烧结陶瓷烧结体,因此其组成不均匀性小,可以低成本并且容易地制造多层陶瓷基板(1)。此外,由于陶瓷层(2)析出了前述的各结晶相,因此与外部导体膜(4)的接合强度高,并且烧结体自身的破坏韧性值大。
-
公开(公告)号:CN102272072A
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN200980154357.2
申请日:2009-12-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/195 , H05K1/03
CPC classification number: H05K1/0306 , B32B18/00 , C04B35/195 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3284 , C04B2235/3436 , C04B2235/3481 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/341 , C04B2237/704 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供一种低温烧结陶瓷材料,可形成烧成后的组成不均匀性较小且烧结体的弯曲强度高、表面电极的剥离强度高、可靠性优良的陶瓷基板。用于构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的低温烧结陶瓷材料含有主成分陶瓷材料和副成分陶瓷材料,实质上不含有Cr氧化物及B氧化物中的任何一种,其中,主成分陶瓷材料含有换算成SiO2为48~75重量%的Si、换算成BaO为20~40重量%的Ba以及换算成Al2O3为5~20重量%的Al,相对于100重量份的主成分陶瓷材料,副成分陶瓷材料含有换算成MnO为2~10重量份的Mn以及分别换算成TiO2和Fe2O3为0.1~10重量份的选自Ti和Fe的至少一种。
-
公开(公告)号:CN102272072B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN200980154357.2
申请日:2009-12-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/195 , H05K1/03
CPC classification number: H05K1/0306 , B32B18/00 , C04B35/195 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3284 , C04B2235/3436 , C04B2235/3481 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/341 , C04B2237/704 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供一种低温烧结陶瓷材料,可形成烧成后的组成不均匀性较小且烧结体的弯曲强度高、表面电极的剥离强度高、可靠性优良的陶瓷基板。用于构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的低温烧结陶瓷材料含有主成分陶瓷材料和副成分陶瓷材料,实质上不含有Cr氧化物及B氧化物中的任何一种,其中,主成分陶瓷材料含有换算成SiO2为48~75重量%的Si、换算成BaO为20~40重量%的Ba以及换算成Al2O3为5~20重量%的Al,相对于100重量份的主成分陶瓷材料,副成分陶瓷材料含有换算成MnO为2~10重量份的Mn以及分别换算成TiO2和Fe2O3为0.1~10重量份的选自Ti和Fe的至少一种。
-
公开(公告)号:CN102307825B
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201080007906.6
申请日:2010-02-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 勝部毅
IPC: H05K1/03
CPC classification number: H05K1/0306 , B32B18/00 , C04B35/14 , C04B35/195 , C04B35/62645 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/6025 , C04B2235/6584 , C04B2235/72 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C04B2237/341 , H05K3/4629 , Y10T428/24926
Abstract: 一种构成具备外部导体膜(4)的多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的低温烧结陶瓷烧结体,其中,该低温烧结陶瓷烧结体由非玻璃系的低温烧结陶瓷材料烧结形成,并析出了石英(Quartz)、氧化铝(Alumina)和硅钛钡石(Fresnoite)的各结晶相。由于陶瓷层(2)是非玻璃系的低温烧结陶瓷烧结体,因此其组成不均匀性小,可以低成本并且容易地制造多层陶瓷基板(1)。此外,由于陶瓷层(2)析出了前述的各结晶相,因此与外部导体膜(4)的接合强度高,并且烧结体自身的破坏韧性值大。
-
-
-