-
公开(公告)号：CN101356598B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200780001111.2
申请日：2007-01-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: B32B27/30 , B32B27/04 , H01F17/0013 , H01F2017/0066 , H01F2017/0093 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明在开放磁路型的层叠线圈元器件中，提高直流叠加特性。是将线圈用导体图案(5)与陶瓷片材层叠而形成的内置线圈(L)的层叠线圈元器件(1)。在上述陶瓷片材中，包括：第1陶瓷片材、以及具有比该第1陶瓷片材低的磁导率的第3陶瓷片材(4)。在上述线圈(L)的包括线圈轴的剖面中，上述第3陶瓷片材(4)具有跨过在层叠方向上相邻的2个以上的上述线圈用导体图案(5)的形状。
-
公开(公告)号：CN1172330C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN99107245.6
申请日：1999-05-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F17/045 , H01F41/043 , H01F41/046 , Y10T29/4902 , Y10T29/49073 , Y10T29/49075
Abstract: 本发明的目的是提供一中能够用相对低成本制造的具有大电流容量的改进型电感器。这种改进型电感器包括一个利用湿加压处理形成的磁烧结体，一个安置在该磁烧结体内的线圈组件。详细来说，该线圈组件由绕制有一个线圈的圆柱形磁芯部件形成。线圈组件的线圈的两端分别电连接到一个输入电极和一个输出电极，这两个电极分别形成在该磁烧结体的相对端面上。
-
公开(公告)号：CN102822917A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080065948.5
申请日：2010-10-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 伊藤阳一郎
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F17/0033 , H01F41/042
Abstract: 提供能够抑制因围绕各线圈导体的周围的磁通引起的磁饱和的产生的电子部件及其制造方法。准备具有第1Ni含有率的第1绝缘体层（19）。在第1绝缘体层（19）上形成线圈导体（18）和具有第1Bi含有率并具有高于所述第1Ni含有率的第2Ni含有率的第2绝缘体层（16）。第1绝缘体层、线圈导体以及第2绝缘体层构成第1单位层（17）。层叠第1单位层以及封装用绝缘体层（15）来得到层叠体（12）。之后，烧制层叠体。在烧制层叠体的工序之后，第1绝缘体层中的被线圈导体从z轴方向的两侧夹着的第1部分中的Ni含有率低于第1绝缘体层中的第1部分以外的第2部分中的Ni含有率。
-
公开(公告)号：CN101351855B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200780001084.9
申请日：2007-03-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/308 , H01F17/0013 , H01F41/046 , H01G4/12 , Y10T156/10 , Y10T156/1062
Abstract: 本发明得到一种能防止第一层的陶瓷生片产生纸泡的层叠型陶瓷电子器件的制造方法以及层叠型陶瓷电子器件。通过将外层用陶瓷生片(4)压接在搭载于支撑体(61)上的、例如由表面粗糙的优质纸构成的片材(5)上并剥离承载片(6)，从而构成第一层的陶瓷生片。第一层的外层用陶瓷生片(4)使用立体障碍型的分散剂来作为分散剂，例如为烯丙醚聚合物。由于粘合剂较轻，因此朝上方偏析而使C浓度在厚度方向上发生变化。具体而言，承载片(6)侧的面相反的开放面的C浓度是支撑于承载片(6)的承载片(6)侧的面的C浓度的1.5～4.0倍。
-
公开(公告)号：CN1235361A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN99107245.6
申请日：1999-05-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F17/045 , H01F41/043 , H01F41/046 , Y10T29/4902 , Y10T29/49073 , Y10T29/49075
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够用相对低成本制造的具有大电流容量的改进型电感器。这种改进型电感器包括一个利用湿加压处理形成的磁烧结体,一个安置在该磁烧结体内的线圈组件。详细来说,该线圈组件由绕制有一个线圈的圆柱形磁芯部件形成。线圈组件的线圈的两端分别电连接到一个输入电极和一个输出电极,这两个电极分别形成在该磁烧结体的相对端面上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101356598A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001111.2
申请日：2007-01-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: B32B27/30 , B32B27/04 , H01F17/0013 , H01F2017/0066 , H01F2017/0093 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明在开放磁路型的层叠线圈元器件中，提高直流叠加特性。是将线圈用导体图案(5)与陶瓷片材层叠而形成的内置线圈(L)的层叠线圈元器件(1)。在上述陶瓷片材中，包括：第1陶瓷片材、以及具有比该第1陶瓷片材低的磁导率的第3陶瓷片材(4)。在上述线圈(L)的包括线圈轴的剖面中，上述第3陶瓷片材(4)具有跨过在层叠方向上相邻的2个以上的上述线圈用导体图案(5)的形状。
-
公开(公告)号：CN101351855A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200780001084.9
申请日：2007-03-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/308 , H01F17/0013 , H01F41/046 , H01G4/12 , Y10T156/10 , Y10T156/1062
Abstract: 本发明得到一种能防止第一层的陶瓷生片产生纸泡的层叠型陶瓷电子器件的制造方法以及层叠型陶瓷电子器件。通过将外层用陶瓷生片(4)压接在搭载于支撑体(61)上的、例如由表面粗糙的优质纸构成的片材(5)上并剥离承载片(6)，从而构成第一层的陶瓷生片。第一层的外层用陶瓷生片(4)使用立体障碍型的分散剂来作为分散剂，例如为烯丙醚聚合物。由于粘合剂较轻，因此朝上方偏析而使C浓度在厚度方向上发生变化。具体而言，承载片(6)侧的面相反的开放面的C浓度是支撑于承载片(6)的承载片(6)侧的面的C浓度的1.5～4.0倍。
-
公开(公告)号：CN102822917B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201080065948.5
申请日：2010-10-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 伊藤阳一郎
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F17/0033 , H01F41/042
Abstract: 提供能够抑制因围绕各线圈导体的周围的磁通引起的磁饱和的产生的电子部件及其制造方法。准备具有第1Ni含有率的第1绝缘体层（19）。在第1绝缘体层（19）上形成线圈导体（18）和具有第1Bi含有率并具有高于所述第1Ni含有率的第2Ni含有率的第2绝缘体层（16）。第1绝缘体层、线圈导体以及第2绝缘体层构成第1单位层（17）。层叠第1单位层以及封装用绝缘体层（15）来得到层叠体（12）。之后，烧制层叠体。在烧制层叠体的工序之后，第1绝缘体层中的被线圈导体从z轴方向的两侧夹着的第1部分中的Ni含有率低于第1绝缘体层中的第1部分以外的第2部分中的Ni含有率。
-
公开(公告)号：CN100558219C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200510052868.7
申请日：2005-02-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明揭示一种电子器件的制造方法。在对由载体薄膜支持的陶瓷生片照射激光以形成穿通孔时，所述穿通孔穿通所述陶瓷生片以及所述载体膜本体，同时形成形状为近似圆柱形。采用具有由树脂薄膜构成的载体膜本体12、以及在前述载体膜本体的一主面形成的金属薄膜层11而构成的陶瓷生片用载体膜10，在前述载体膜本体12的另一主面形成陶瓷生片20。
-
公开(公告)号：CN1769021A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510052868.7
申请日：2005-02-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明揭示一种陶瓷电路基板用的载体膜、使用该陶瓷电路基板用载体膜的陶瓷电路基板的加工方法及电子器件的制造方法。在对由载体薄膜支持的陶瓷电路基板照射激光以形成穿通孔时，要求孔不穿通载体膜，同时形成形状为近似圆柱形。采用具有由树脂薄膜构成的载体膜本体12、以及在前述载体膜本体的一主面形成的金属薄膜层11而构成的陶瓷电路基板用载体膜10，在前述载体膜本体12的另一主面形成陶瓷电路基板20。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.021 seconds)
