公开(公告)号：CN101044260B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200580036142.2

申请日：2005-01-24

Applicant: 株式会社昭和真空

Inventor： 藤原隆行 ,  永井和芳

IPC: C23C14/34 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H03H3/02

CPC classification number: C23C14/566 ,  C23C14/50 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置，提高靶材料的利用率、生产节拍时间、维修性能以及成膜精度。所述薄膜形成装置包括：真空室；保持靶材料的溅射阴极；搭载用于堆积被溅射的靶材料的基板的搭载单元；以及搭载单元的搬运机构；在搬运机构中，按照使基板通过靶材料的前面的方式设置搬运路径，搭载单元由可连接并保持多个基板的基板托盘构成。

公开(公告)号：CN101044260A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580036142.2

申请日：2005-01-24

Applicant: 株式会社昭和真空

Inventor： 藤原隆行 ,  永井和芳

IPC: C23C14/34 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H03H3/02

CPC classification number: C23C14/566 ,  C23C14/50 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置，提高靶材料的利用率、生产节拍时间、维修性能以及成膜精度。所述薄膜形成装置包括：真空室；保持靶材料的溅射阴极；搭载用于堆积被溅射的靶材料的基板的搭载单元；以及搭载单元的搬运机构；在搬运机构中，按照使基板通过靶材料的前面的方式设置搬运路径，搭载单元由可连接并保持多个基板的基板托盘构成。