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公开(公告)号:CN101017752A
公开(公告)日:2007-08-15
申请号:CN200710001995.3
申请日:2007-01-16
Applicant: 株式会社日立显示器
Abstract: 本发明提供一种能够抑制通过阳极氧化形成适合于薄膜电子源的MIM型二极管元件的电子加速层时的膜形成不均匀所引起的面内或邻接像素间的电子发射量的分布不均、并能够减小应用于显示装置时的面内亮度差的二极管元件。构成MIM型二极管元件的绝缘层(12),是通过阳极氧化在上述下部电极(11)的表面形成的非晶质的氧化膜,由铝或铝合金的单层膜或在最表层具有这些单层膜的任一者的层叠膜形成下部电极(11),使经过阳极氧化处理的铝或铝合金的单层膜为非晶质体。