公开(公告)号：CN1383027A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02101780.8

申请日：2002-01-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 丰田善章 ,  糸贺敏彦 ,  秋元肇

IPC: G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136213

Abstract: 一种对比度高且制造成本低的图像显示装置,在基板上具有多个薄膜晶体管和多个电容元件,其中:在上述基板上有多条栅线和多条信号线;上述薄膜晶体管具有:具有源区、漏区和沟道区的岛状半导体层;在该岛状半导体层和与上述栅线同层的栅极之间形成的第一绝缘膜;在上述岛状半导体层上方形成的层间绝缘膜;与信号线同层的源电极和漏电极;上述电容元件由与上述栅线同层的保存电极、在该保存电极上相接地形成的第二绝缘膜、和在该第二绝缘膜上相接地形成的与上述信号线同层的电极构成。

公开(公告)号：CN1357925A

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN01140707.7

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田村太久夫 ,  尾形洁 ,  高原洋一 ,  堀越和彦 ,  山口裕功 ,  大仓理 ,  阿部广伸 ,  斋藤雅和 ,  木村嘉伸 ,  糸贺敏彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/969

Abstract: 一种多晶硅薄膜晶体管,通过对非晶硅膜多次照射激光,实现由多个晶粒构成,通过抑制邻接晶粒的边界部分中突起的发生,成为至少2个以上的晶粒集合体,在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇结晶;可达到200cm2/V·S以上的高迁移率特性。

公开(公告)号：CN1271463C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN02101780.8

申请日：2002-01-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 丰田善章 ,  糸贺敏彦 ,  秋元肇

IPC: G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136213

Abstract: 一种对比度高且制造成本低的图像显示装置，在基板上具有多个薄膜晶体管和多个电容元件，其中：在上述基板上有多条栅线和多条信号线；上述薄膜晶体管具有：具有源区、漏区和沟道区的岛状半导体层；在该岛状半导体层和与上述栅线同层的栅极之间形成的第一绝缘膜；在上述岛状半导体层上方形成的层间绝缘膜；与信号线同层的源电极和漏电极；上述电容元件由与上述栅线同层的保存电极、在该保存电极上相接地形成的第二绝缘膜、和在该第二绝缘膜上相接地形成的与上述信号线同层的电极构成。

公开(公告)号：CN1197169C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01140707.7

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田村太久夫 ,  尾形洁 ,  高原洋一 ,  堀越和彦 ,  山口裕功 ,  大仓理 ,  阿部广伸 ,  斋藤雅和 ,  木村嘉伸 ,  糸贺敏彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/969

Abstract: 一种多晶硅薄膜晶体管，通过对非晶硅膜多次照射激光，实现由多个晶粒构成，通过抑制邻接晶粒粒的边界部分中突起的发生，成为至少2个以上的晶粒集合体，在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇晶；可达到200cm2/V·S以上的高迁移率特性。