半导体存储装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1043695C

    公开(公告)日:1999-06-16

    申请号:CN94112845.8

    申请日:1994-12-02

    CPC classification number: G11C7/1048

    Abstract: 在一个半导体存储装置中,不受制作工艺起波的影响,实现高速的数据放大。公用数据线对的电位被差分放大器的电流负反馈设定在基准电压。以此方式降低了公用数据线对内的信号幅度。用负反馈环内的晶体管将来自存储单元的电流转变为电压。即使差分放大器的偏置电压有起伏,也可以降低公用数据线对内的信号幅度,以低电功耗实现高速数据放大。

    半导体存储装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1109997A

    公开(公告)日:1995-10-11

    申请号:CN94112845.8

    申请日:1994-12-02

    CPC classification number: G11C7/1048

    Abstract: 在一个半导体存储装置中,不受制作工艺起波的影响,实现高速的数据放大。公用数据线对的电位被差分放大器的电流负反馈设定在基准电压。以此方式降低了公用数据线对内的信号幅度。用负反馈环内的晶体管将来自存储单元的电流转变为电压。即使差分放大器的偏置电压有起伏,也可以降低公用数据线对内的信号幅度,以低电功耗实现高速数据放大。

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