公开(公告)号：CN86101082B

公开(公告)日：1988-12-28

申请号：CN86101082

申请日：1986-02-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本惠彦 ,  田口贞宪 ,  会田敏之 ,  度部勇人 ,  川濑进

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/28

CPC classification number: H01L29/515 ,  H01L29/42372

Abstract: 本发明涉及一种浸渍阴极，其特点是在浸渍阴极圆片表面至少有两层薄膜：下面是由如Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ等组成的高熔点金属薄膜；上层是含Ｓｃ2Ｏ3的高熔点金属层，并覆盖于下层之上。浸渍阴极圆片是用电子发射材料浸渍难熔多孔质基体而制成。本发明也涉及有此阴极的电子管。此阴极表面有长时期稳定的低逸出功单原子层。

公开(公告)号：CN1031776A

公开(公告)日：1989-03-15

申请号：CN88106323

申请日：1988-08-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田口贞 ,  山本惠彦 ,  渡部勇人

IPC: H01J1/14

Abstract: 本发明公开一种电子管阴极，它由基底和形成于其上的电子发射材料层构成，该材料层是由包括Ba的碱土金属的氧化物构成，其中，掺入二元金属氧化物粉末，该粉末至少含有一种从包括Sc、Y和稀土元素这一族选出的元素，以及其它金属元素或Si。本阴极的发射性能得到很大改善。

公开(公告)号：CN85104881B

公开(公告)日：1988-12-21

申请号：CN85104881

申请日：1985-06-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本惠彦 ,  田口贞宪 ,  会田敏之

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/28

Abstract: 在耐热多孔质基体内浸入电子发射材料的浸渍阴极，在此多孔质基体的电子发射面上敷以薄层，此薄层由高熔点金属和Ｓｃ（或Ｓｃ的氧化物）或者由高熔点金属与Ｓｃ及Ｓｃ的氧化物共同组成，该种浸渍阴极的特点就在于此。由于预先在基体内浸入电子发射材料，再加上形成了含Ｓｃ或Ｓｃ的氧化物的薄层，所以，由Ｂａ、Ｓｃ和Ｏ组成的单原子层在电子发射面上就得以长寿命地存在下来。

公开(公告)号：CN86101082A

公开(公告)日：1986-08-20

申请号：CN86101082

申请日：1986-02-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本惠彦 ,  田口贞宪 ,  会田敏之 ,  渡部勇人 ,  川濑进

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/20

CPC classification number: H01L29/515 ,  H01L29/42372

Abstract: 本发明涉及一种浸渍阴极，其特点是在浸渍阴极颗粒表面至少有两层薄膜：下层是由如Os、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Re、Mo、W、Ta等组成的高熔点金属薄膜；下层是含Sc2O3的高熔点金属层，并覆盖于下层之上。浸渍阴极颗粒是用电子发射材料浸渍难熔多孔主体而制成。本发明也涉及有此电极的电子管。此阴极表面有长时期稳定的低逸出功单原子层。

公开(公告)号：CN1013159B

公开(公告)日：1991-07-10

申请号：CN88106323

申请日：1988-08-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田口贞憲 ,  山本惠彦 ,  渡部勇人

IPC: H01J1/14

Abstract: 本发明公开一种电子管阴极，它由基底和形成于其上的电子发射材料层构成，该材料层是由包括Ba的碱土金属的氧化物构成，其中，掺入二元金属氧化物粉末，该粉末至少含有一种从包括Sc、Y元素中选出的元素，以及其它金属元素或Si。本阴极的发射性能得到很大改善。

公开(公告)号：CN85104881A

公开(公告)日：1987-01-07

申请号：CN85104881

申请日：1985-06-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本惠彦 ,  田口贞宪 ,  会田敏之

IPC: H01J1/13

Abstract: 在耐热多孔质基体内浸入电子发射材料的浸渍阴极，在此多孔质基体的电子发射面上敷以薄层。此薄层由高熔点金属和Sc(或Sc的氧化物)或者由高熔点金属与Sc及Sc的氧化物共同组成，该种浸渍阴极的特点就在于此。由于预先在基体内浸入电子发射材料，再加上形成了含Sc或Sc的氧化物的薄层，所以，由Ba、Sc和O组成的单原子层在电子发射面上就得以长寿命地存在下来。