公开(公告)号：CN1142652A

公开(公告)日：1997-02-12

申请号：CN95116899.1

申请日：1995-09-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大津孝佳 ,  栉田伸昌 ,  齐藤治信 ,  香川昌庆 ,  斋藤真

IPC: G11B5/31

Abstract: 一种薄膜磁头，能够在记录和再现时改变其间的磁隙长度，在高矫顽力的介质上进行记录时产生足够的磁场强度，使得能够提高行记录密度，所述薄膜磁头包含一开路的磁路，其具有的磁隙用非磁性薄膜填满，所述磁路通过一包括下磁极和上磁极的磁芯，包含的电导体线圈，其以所述导线在所述上磁极和所述下磁极之间通过的方式绕在所述磁路上，其中至少其中一个磁极包括多层结构，其由高磁导率磁膜、高饱和磁通密度磁膜和低饱和磁通密度磁膜依次构成。

公开(公告)号：CN1147668A

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：CN96109280.7

申请日：1996-08-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边英男 ,  唐镰义彬 ,  今中律 ,  大津孝佳

IPC: G11B5/10

Abstract: 磁阻式磁头，包括在一基片上的：一对上部和下部磁屏蔽层、磁阻元件组件和一对电极，电极用于读出电流流过磁阻元件组件并检测其电压变化，在电极和磁屏蔽层间或两电极间形成5微微法到100微法的电容器。或形成阻值大于磁阻元件组件但不大于其1000倍的电阻。在两电极间可形成双向二极管，其阈值电压≥0.5伏但≤60伏。从而，防止突然施加在二电极间的静电电压损坏磁阻元件组件。