公开(公告)号：CN1674474B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200510002180.8

申请日：2005-01-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 宇田哲也 ,  野田健太 ,  内山靖弘 ,  增田宏 ,  中野博行

IPC: H04B10/17 ,  H04B10/12 ,  H04J14/02

CPC classification number: H04B10/00

Abstract: 提供一种无论在没有传送路径的损失变动或复用波长数变化的通常状态，还是在产生传送路径的损失变化或复用波长数变化的异常状态，都能够适宜控制各信号光的强度，确保通信质量的光传送装置及其控制方法。一种光传送装置，其由下述部件构成：从接收的波分复用信号光中分离监视光、检测监视光强度的装置(31、41)；检测监视光分离后的波分复用信号光的强度的装置(32、42)；放大上述波分复用信号光的增益控制型光放大器(34)；用于调整放大的波分复用信号光强度的光衰减器(35)；与上述光放大器一直成为恒定增益的控制同时，以波分复用信号光的输出强度为规定的目标值那样，控制上述光衰减器的衰减量的监视控制部(20)。监视控制部在上述监视光强度的变动在容许范围内，信号光强度的变动在容许范围以外时，通过上述光衰减器抑制输出光强度的恒定控制。

公开(公告)号：CN1181844A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN95197819.5

申请日：1995-03-17

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超爱尔·爱斯·爱工程股份有限公司

Inventor： 平田宏治 ,  田上知纪 ,  增田宏 ,  内山博幸 ,  望月和浩

IPC: H01L29/737

Abstract: 本发明涉及一种接触结构,不仅适合异质结双极型晶体管或异质绝缘栅场效应晶体管,也适用于普通半导体器件。在多晶或非晶未掺杂Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体或其合金的半导体层中形成一个接触通孔,其尺寸允许至少部分露出第一导电层和在第一导电层周围的绝缘Si合金层,在通孔中形成第二导电层,使之与第一导电层相接触。既然可将半导体层相对于绝缘Si合金层进行选择性干法腐蚀,则在半导体层中形成上述通孔时绝缘Si合金层不会被腐蚀,因而可避免第二导电层与位于绝缘Si合金层之下的单晶半导体层的电短路。

公开(公告)号：CN101192889B

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200710196001.8

申请日：2007-11-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中野博行 ,  竹内浩史 ,  增田宏

IPC: H04B10/17 ,  H04B10/16 ,  H04J14/02

CPC classification number: H04B10/40 ,  H04J14/0206 ,  H04J14/0212 ,  H04J14/0221

Abstract: 本发明提供了一种考虑由装置内的光学元件引起的损耗的光放大器。较低输出、较低增益的发送端光放大器中，激励光功率在放大过程中，在掺杂光纤内，不全部消耗，存在作为残留激励光的一部分光。将该残留激励光的波长设定为适当地偏离接收端光放大器的激励光波长以使其不同于接收端光放大器的激励光波长，利用波分复用耦合器能够将发送端光放大器的残留激励光，加到接收端光放大器的激励光中，从而能够增加增益以及光输出。因此，不必增加接收端光放大器中使用的激励光源的输出功率(不必使用更高价的高输出激励光源)，可以实现高输出的接收端光放大器。

公开(公告)号：CN1091952C

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN95197819.5

申请日：1995-03-17

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超爱尔·爱斯·爱工程股份有限公司

Inventor： 平田宏治 ,  田上知纪 ,  增田宏 ,  内山博幸 ,  望月和浩

IPC: H01L29/737

Abstract: 本发明涉及一种接触结构，不仅适合异质结双极型晶体管或异质绝缘栅场效应晶体管，也适用于普通半导体器件。在多晶或非晶未掺杂III-V族化合物半导体或其合金的半导体层中形成一个接触通孔，其尺寸允许至少部分露出第一导电层和在第一导电层周围的绝缘Si合金层，在通孔中形成第二导电层，使之与第一导电层相接触。既然可将半导体层相对于绝缘Si合金层进行选择性干法腐蚀，则在半导体层中形成上述通孔时绝缘Si合金层不会被腐蚀，因而可避免第二导电层与位于绝缘Si合金层之下的单晶半导体层的电短路。