公开(公告)号：CN101345289B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200810130306.3

申请日：2008-07-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺尾元康 ,  松冈秀行 ,  入江直彦 ,  笹子佳孝 ,  竹村理一郎 ,  高浦则克

IPC: H01L45/00 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/145 ,  G11C11/5614 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，通过采用可高精度控制固体电解质中的离子运动的器件结构，可以提高具有存储或者开关功能的半导体器件的性能，也能够以低成本对多层化的三维结构进行高集成化。作为半导体元件，是在偏离而配置在纵方向(Z轴方向)上的电极之间形成2层以上成分不同的层，在上述电极之间施加脉冲电压来形成导电通路，使电阻值根据信息信号而发生变化的元件。并且，在上述导电通路的途中形成蓄积了提高导电率的成分的区域，由此使电阻率正确地对应信息信号。更优选在X轴方向、Y轴方向的至少一个方向上，也形成电极并施加控制电压。

公开(公告)号：CN101345289A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810130306.3

申请日：2008-07-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺尾元康 ,  松冈秀行 ,  入江直彦 ,  笹子佳孝 ,  竹村理一郎 ,  高浦则克

IPC: H01L45/00 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/145 ,  G11C11/5614 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，通过采用可高精度控制固体电解质中的离子运动的器件结构，可以提高具有存储或者开关功能的半导体器件的性能，也能够以低成本对多层化的三维结构进行高集成化。作为半导体元件，是在偏离而配置在纵方向(Z轴方向)上的电极之间形成2层以上成分不同的层，在上述电极之间施加脉冲电压来形成导电通路，使电阻值根据信息信号而发生变化的元件。并且，在上述导电通路的途中形成蓄积了提高导电率的成分的区域，由此使电阻率正确地对应信息信号。更优选在X轴方向、Y轴方向的至少一个方向上，也形成电极并施加控制电压。