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公开(公告)号：CN1274733A
公开(公告)日：2000-11-29
申请号：CN00108954.4
申请日：2000-05-23
Applicant: 株式会社日本触媒 , 大赛璐化学工业株式会社
IPC: C08J7/04
Abstract: 本发明提供一种屏氧气性优良的屏蔽性薄膜。本发明的屏蔽性薄膜10,在基质材料11的一个面上,具有通过底涂层13,由含有有机链和两末端官能性硅烷单体和硅烷化合物形成的被复层12,在其另一面上具有表皮层14,该薄膜在20℃、40、60和80%RH时的氧气透过率为0.1～100ml/m2·24hr。
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