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公开(公告)号：CN109473564A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811012305.9
申请日：2018-08-31
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
IPC: H01L51/52
Abstract: 本申请公开了一种有机EL显示面板、有机EL显示装置及其制造方法，由于具备具有高覆盖性的氮化硅膜，提高了有机EL元件的保护性能。该有机EL显示面板具备：基板；形成于所述基板上的多个有机EL元件；配置于所述多个有机EL元件的上方，并按照第一密封层、第二密封层、第三密封层的顺序层叠而成的密封层；所述第一密封层、所述第二密封层、所述第三密封层分别由非晶质氮化硅构成，当所述第一密封层、所述第二密封层、所述第三密封层各自的组成为SiNx时，第二密封层组成中x的值大于第一密封层组成中x的值和第三密封层组成中x的值中任一方。
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公开(公告)号：CN107275507A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710201789.0
申请日：2017-03-30
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
Inventor： 堀河敬司
CPC classification number: H01L51/5256 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/524 , H01L51/56 , H01L51/5253
Abstract: 一种有机EL显示面板及其制作方法，能够在实现覆盖性和密封性的并存同时，提高高温潮湿状况下耐用性。氮化硅膜(108CVD2)介于氮化硅膜(108CVD1)和氮化硅膜(108CVD3)之间，每单位体积的氨含量高于氮化硅膜(108CVD1)以及氮化硅膜(108CVD3)的氨含量。氮化硅膜(108CVD2)在增加作为原材料的硅烷、氨的气体量的同时提高压力的成膜条件下，通过CVD法成膜。由于在该成膜条件下成膜，氮化硅膜(108CVD2)的膜结构成为存在较多脱漏的粗糙的结构。另一方面，覆盖异物时的形状变化不是急剧的而是连续性的，因此不产生氮化硅膜(108CVD1)以及氮化硅膜(108CVD3)的龟裂而能够实现覆盖性和密封性的并存。
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公开(公告)号：CN109473564B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201811012305.9
申请日：2018-08-31
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
IPC: H01L51/52
Abstract: 本申请公开了一种有机EL显示面板、有机EL显示装置及其制造方法，由于具备具有高覆盖性的氮化硅膜，提高了有机EL元件的保护性能。该有机EL显示面板具备：基板；形成于所述基板上的多个有机EL元件；配置于所述多个有机EL元件的上方，并按照第一密封层、第二密封层、第三密封层的顺序层叠而成的密封层；所述第一密封层、所述第二密封层、所述第三密封层分别由非晶质氮化硅构成，当所述第一密封层、所述第二密封层、所述第三密封层各自的组成为SiNx时，第二密封层组成中x的值大于第一密封层组成中x的值和第三密封层组成中x的值中任一方。
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公开(公告)号：CN107275507B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710201789.0
申请日：2017-03-30
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
Inventor： 堀河敬司
Abstract: 一种有机EL显示面板及其制作方法，能够在实现覆盖性和密封性的并存同时，提高高温潮湿状况下耐用性。氮化硅膜(108CVD2)介于氮化硅膜(108CVD1)和氮化硅膜(108CVD3)之间，每单位体积的氨含量高于氮化硅膜(108CVD1)以及氮化硅膜(108CVD3)的氨含量。氮化硅膜(108CVD2)在增加作为原材料的硅烷、氨的气体量的同时提高压力的成膜条件下，通过CVD法成膜。由于在该成膜条件下成膜，氮化硅膜(108CVD2)的膜结构成为存在较多脱漏的粗糙的结构。另一方面，覆盖异物时的形状变化不是急剧的而是连续性的，因此不产生氮化硅膜(108CVD1)以及氮化硅膜(108CVD3)的龟裂而能够实现覆盖性和密封性的并存。
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