公开(公告)号：CN107204373B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201710154049.6

申请日：2017-03-15

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 村井淳人 ,  佐藤栄一 ,  三浦正范

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

Abstract: 根据一个实施例，薄膜晶体管包括：氧化物半导体层(12)，其设置在绝缘基板(11)上方，并且包括位于源极区域(12a)与漏极区域(12b)之间的沟道区域(12c)；第一绝缘膜(13)，其设置在所述氧化物半导体层(12)上的与所述沟道区域(12c)相对应的区域中；栅电极(14)，其设置在所述第一绝缘膜(13)上；第一保护膜(15)，其作为包含金属的绝缘膜设置在所述氧化物半导体层(12)、所述第一绝缘膜(13)和所述栅电极(14)上；第二保护膜(16)，其设置在所述第一保护膜(15)上；以及第三保护膜(17)，其作为含有金属的绝缘膜设置在所述第二保护膜(16)上。根据实施例，可以稳定薄膜晶体管的特性，且可以提高可靠性。此外，可以促进制造工艺，从而提高产率。

公开(公告)号：CN107204373A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710154049.6

申请日：2017-03-15

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器 ,  株式会社日本显示器

Inventor： 村井淳人 ,  佐藤栄一 ,  三浦正范

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

Abstract: 根据一个实施例，薄膜晶体管包括：氧化物半导体层(12)，其设置在绝缘基板(11)上方，并且包括位于源极区域(12a)与漏极区域(12b)之间的沟道区域(12c)；第一绝缘膜(13)，其设置在所述氧化物半导体层(12)上的与所述沟道区域(12c)相对应的区域中；栅电极(14)，其设置在所述第一绝缘膜(13)上；第一保护膜(15)，其作为包含金属的绝缘膜设置在所述氧化物半导体层(12)、所述第一绝缘膜(13)和所述栅电极(14)上；第二保护膜(16)，其设置在所述第一保护膜(15)上；以及第三保护膜(17)，其作为含有金属的绝缘膜设置在所述第二保护膜(16)上。根据实施例，可以稳定薄膜晶体管的特性，且可以提高可靠性。此外，可以促进制造工艺，从而提高产率。