公开(公告)号：CN101636691B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200880009062.1

申请日：2008-09-18

Applicant: 株式会社日本显示器西

Inventor： 达拉姆·帕尔·高赛因 ,  田中勉 ,  高德真人

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/1222 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13312 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66765

Abstract: 在同一基板上方形成开关元件和光传感器元件的情况下，当为了提高光传感器元件的灵敏度而增大活性层的膜厚度时，会对开关元件(TFT)的特性产生不利影响。在本发明的显示器的结构中，在以矩阵状设有多个像素的玻璃基板(5)上方的栅极绝缘膜(24)上设有沟道层(25)和光电转换层(35)，该沟道层(25)构成用于形成像素的开关元件的薄膜晶体管，该光电转换层(35)构成光传感器元件。光电转换层(35)被形成为比沟道层(25)厚，并且/或者光电转换层(35)由与沟道层(25)的材料不同的材料形成，因而使得光电转换层(35)的光吸收系数高于沟道层(25)的光吸收系数。