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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687747B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202011032169.7
申请日：2020-09-27
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/06 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件具有：包含铟的氧化物半导体层；与上述氧化物半导体层相对的栅极电极；上述氧化物半导体层与上述栅极电极之间的栅极绝缘层；从上述氧化物半导体层的上方与上述氧化物半导体层接触的第一导电层；和氧化部，其在上述氧化物半导体层的上方形成于上述第一导电层的端部，为上述第一导电层的氧化物。在俯视时与上述第一导电层重叠的区域的上述氧化物半导体层中，铟也可以偏置。根据本发明，能够实现可靠性高的半导体器件。
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公开(公告)号：CN112514080A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980051695.7
申请日：2019-06-10
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L51/50
Abstract: 本发明能够抑制将氧化物半导体作为活性层的晶体管中的随时间推移的低漏极电压时的电流降低。本发明的薄膜晶体管包括：由至少包含铟和镓的氧化物半导体形成的活性层；和形成在上述活性层上的具有钛层的电极层，从上述活性层与上述电极层的界面向上述活性层去的15nm的范围内的离子浓度中，铟浓度为氧浓度的1.3倍以下。
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公开(公告)号：CN112514080B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201980051695.7
申请日：2019-06-10
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H10K59/121
Abstract: 本发明能够抑制将氧化物半导体作为活性层的晶体管中的随时间推移的低漏极电压时的电流降低。本发明的薄膜晶体管包括：由至少包含铟和镓的氧化物半导体形成的活性层；和形成在上述活性层上的具有钛层的电极层，从上述活性层与上述电极层的界面向上述活性层去的15nm的范围内的离子浓度中，铟浓度为氧浓度的1.3倍以下。
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公开(公告)号：CN113544859A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080019549.9
申请日：2020-03-13
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L21/441 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/32 , H01L29/417 , H01L51/50 , H05B33/10
Abstract: 显示装置包含晶体管和所述晶体管上的显示元件，所述晶体管包含：绝缘表面上的栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上且与所述栅电极重叠的氧化物半导体层；源电极‑漏电极，其包含在所述氧化物半导体层和所述栅极绝缘层上的含有氮的第1导电层和所述第1导电层上的第2导电层；以及所述氧化物半导体层和所述源电极‑漏电极上的含有氧的绝缘层。
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公开(公告)号：CN112687747A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011032169.7
申请日：2020-09-27
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/06 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件具有：包含铟的氧化物半导体层；与上述氧化物半导体层相对的栅极电极；上述氧化物半导体层与上述栅极电极之间的栅极绝缘层；从上述氧化物半导体层的上方与上述氧化物半导体层接触的第一导电层；和氧化部，其在上述氧化物半导体层的上方形成于上述第一导电层的端部，为上述第一导电层的氧化物。在俯视时与上述第一导电层重叠的区域的上述氧化物半导体层中，铟也可以偏置。根据本发明，能够实现可靠性高的半导体器件。
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