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1.

实用新型
显示装置有权

公开(公告)号：CN208298833U

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201820898352.7

申请日：2018-06-11

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 岩崎一晃

IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , H01L21/77 , G02F1/1362

Abstract: 本实用新型提供一种显示装置，其目的在于实现特性稳定且与漏电极以及源电极的导通的可靠性高的显示装置。显示装置在像素形成有TFT，该TFT在基板上将第一氧化物半导体(16)作为有源层，并在漏电极(14)与源电极(15)之间具有沟道部，该显示装置的特征在于，所述漏电极(14)和所述源电极(15)由基底金属、Al层、覆盖金属这三层形成，所述基底金属具有延伸部(bb)，该延伸部(bb)在俯视时与所述Al层以及所述覆盖金属相比更向所述沟道部的沟道长度方向的中心侧延伸，所述第一氧化物半导体(16)的下表面与所述延伸部(bb)接触。

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