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公开(公告)号:CN102906863B
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201180024459.X
申请日:2011-05-17
Applicant: 株式会社新菱
IPC: C09K13/02 , H01L31/0236
CPC classification number: C09K13/02 , H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种不使用异丙醇等现有的刻蚀抑制剂即可稳定地形成具有微细的金字塔状凹凸(纹理结构)的硅衬底的刻蚀液。这是一种浸渍硅衬底,使得在该衬底表面上形成金字塔状的凹凸的刻蚀液,其特征在于,含有选自用下述通式(1)所表示的化合物(A)或其碱盐的一种以上、以及浓度大于等于0.1重量%且小于等于30重量%的氢氧化碱(B)。R-X(1)(式中,R表示碳数目大于等于4且小于等于15的烷基、烯基和炔基中的任意一种,X表示磺酸基)。通过使用该刻蚀液,可在硅衬底表面上形成微细的纹理结构。
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公开(公告)号:CN102906863A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201180024459.X
申请日:2011-05-17
Applicant: 株式会社新菱
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H01L31/04
CPC classification number: C09K13/02 , H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种不使用异丙醇等现有的刻蚀抑制剂即可稳定地形成具有微细的金字塔状凹凸(纹理结构)的硅衬底的刻蚀液。这是一种浸渍硅衬底,使得在该衬底表面上形成金字塔状的凹凸的刻蚀液,其特征在于,含有选自用下述通式(1)所表示的化合物(A)或其碱盐的一种以上、以及浓度大于等于0.1重量%且小于等于30重量%的氢氧化碱(B)。R-X(1)(式中,R表示碳数目大于等于4且小于等于15的烷基、烯基和炔基中的任意一种,X表示磺酸基)。通过使用该刻蚀液,可在硅衬底表面上形成微细的纹理结构。
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