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公开(公告)号：CN119816918A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380058020.1
申请日：2023-07-31
Applicant: 株式会社希克斯
Inventor： 寺岛彰
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供如下SiC单晶转印用复合衬底、SiC单晶转印用复合衬底的制造方法、以及SiC接合衬底的制造方法：通过改善反复用于SiC接合衬底的制造过程中的SiC单晶衬底的翘曲而抑制SiC单晶衬底的搬运错误、不能将SiC单晶衬底保持于加工台的不良状况，并且能够通过表面活化工序、贴合工序将SiC单晶衬底通过静电卡盘保持于加工台并能够抑制接合不合格的产生。SiC单晶转印用复合衬底具备SiC单晶衬底、以及体积电阻率为10Ω·cm以下的第一SiC多晶衬底，所述SiC单晶衬底的单面通过共价键与所述第一SiC多晶衬底的单面直接接合。
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