二维辐射探测器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1034143C

    公开(公告)日:1997-02-26

    申请号:CN94107702.0

    申请日:1994-06-30

    CPC classification number: G01T1/2018 H01L27/146 H01L27/14676

    Abstract: 一种二维辐射探测器具有一种包括闪烁体、半透明电极膜、光电导膜和扫描开关层的多层结构。该扫描开关层包括以矩阵形式排列、并与光电导膜相接触的导体,对应于以矩阵形式排列的导体的多个FET,以及经由FET逐行依次将偏压加到矩阵导体的均匀平面导体,每个FET的漏极接连至矩阵导体之一,其源极连接至均匀平面导体,其栅极连接至驱动电路。半透明电极膜包括对应于各列矩阵导体的列导体,每个列导体连接至信号读出线。

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