公开(公告)号：CN113195626A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980082299.0

申请日：2019-10-18

Applicant: 株式会社吴羽

Inventor： 宫下达明 ,  鈴木和元

IPC: C08L27/16 ,  C08J5/00 ,  C08K5/19

Abstract: 本发明提供一种既能使具有透明性的成型体具有厚度也能抑制黄变的树脂组合物。本发明的树脂组合物包含偏氟乙烯聚合物作为主成分，进一步包含烷基季铵硫酸盐，偏氟乙烯聚合物中的键合异构的比例为4％以上。

公开(公告)号：CN111936531A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201880092057.5

申请日：2018-12-06

Applicant: 株式会社吴羽

Inventor： 宫下达明 ,  伊藤裕佳

IPC: C08F14/22 ,  C08L27/16 ,  C08L33/02

Abstract: 本发明实现能高效地脱水，并且能高效地填充填充成分的偏氟乙烯聚合物的粒子。本发明的粒子是偏氟乙烯聚合物的粒子。该粒子的体积密度为0.30～0.44g/mL。此外，该粒子的通过水银孔率计测定的累积细孔容积成为0.5mL/g的细孔径为50～400nm。

公开(公告)号：CN113121935A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011461698.9

申请日：2020-12-08

Applicant: 株式会社吴羽

Inventor： 宫下达明 ,  鈴木和元

IPC: C08L27/16 ,  C08K5/19 ,  C08J5/18 ,  G06F3/044

Abstract: 本发明实现一种相对介电常数高的由树脂组合物形成的触摸面板用片材。本发明的触摸面板用片材具有树脂层，该树脂层由包含聚偏氟乙烯树脂和烷基季铵硫酸盐的聚偏氟乙烯树脂组合物形成。

公开(公告)号：CN113195626B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201980082299.0

申请日：2019-10-18

Applicant: 株式会社吴羽

Inventor： 宫下达明 ,  鈴木和元

IPC: C08L27/16 ,  C08J5/00 ,  C08K5/19

Abstract: 本发明提供一种既能使具有透明性的成型体具有厚度也能抑制黄变的树脂组合物。本发明的树脂组合物包含偏氟乙烯聚合物作为主成分，进一步包含烷基季铵硫酸盐，偏氟乙烯聚合物中的键合异构的比例为4％以上。

公开(公告)号：CN110229255B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201910069020.7

申请日：2019-01-24

Applicant: 株式会社吴羽

Inventor： 宫下达明 ,  五十岚民人 ,  堺勇树 ,  山根拓也

IPC: C08F14/22 ,  C08F2/18

Abstract: 本发明题为“偏氟乙烯聚合物的制造方法”。本申请实现在更短时间内且更简便地制造偏氟乙烯聚合物的方法。通过将水和聚合初始温度下的含偏氟乙烯单体的密度为0.580g/cm3～0.660g/cm3的量的含偏氟乙烯单体供给至反应器，将含偏氟乙烯单体，在使偏氟乙烯成为超临界状态的条件下，在水中进行悬浮聚合来制造偏氟乙烯聚合物。

公开(公告)号：CN113195627A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980083154.2

申请日：2019-10-17

Applicant: 株式会社吴羽

Inventor： 宫下达明 ,  鈴木和元

IPC: C08L27/16 ,  C08J5/00 ,  C08K5/19

Abstract: 本发明的聚偏氟乙烯树脂组合物包含烷基季铵硫酸盐，聚偏氟乙烯树脂组合物中的碱金属浓度为60ppm以下，聚偏氟乙烯中的氟化氢浓度为5ppm以下。本发明的聚偏氟乙烯树脂组合物即使在具有厚度的成型体中也能体现充分的透明性。可以用于光学构件等富有透明性的构件。

公开(公告)号：CN113195627B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201980083154.2

申请日：2019-10-17

Applicant: 株式会社吴羽

Inventor： 宫下达明 ,  鈴木和元

IPC: C08L27/16 ,  C08J5/00 ,  C08K5/19

Abstract: 本发明的聚偏氟乙烯树脂组合物包含烷基季铵硫酸盐，聚偏氟乙烯树脂组合物中的碱金属浓度为60ppm以下，聚偏氟乙烯中的氟化氢浓度为5ppm以下。本发明的聚偏氟乙烯树脂组合物即使在具有厚度的成型体中也能体现充分的透明性。可以用于光学构件等富有透明性的构件。

公开(公告)号：CN111372979A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075026.9

申请日：2018-08-29

Applicant: 株式会社吴羽

Inventor： 宫下达明 ,  铃木和元

IPC: C08J5/18 ,  B29C43/34 ,  B29K27/12 ,  B29L7/00

Abstract: 本发明提供一种成型体及其新的制造方法，所述成型体为偏氟乙烯系聚合物组合物的成型体，即使具有超过50μm的厚度，雾度也低。本发明的偏氟乙烯系聚合物的成型体具有超过50μm的厚度和40％以下的雾度。在成型体的制造中，使具有规定的形状的偏氟乙烯系聚合物的组合物在该聚合物的熔点的±5℃的温度下熔融，从而进行成型。

公开(公告)号：CN110343212A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201811550858.X

申请日：2018-12-18

Applicant: 株式会社吴羽

Inventor： 宫下达明 ,  镰田慎太郎

IPC: C08F214/22 ,  C08F222/16 ,  C08F214/28 ,  C08F2/20

Abstract: 本申请实现在更短时间内且更简便地制造偏氟乙烯共聚物的方法。在偏氟乙烯共聚物的制造方法中，包含：对含有偏氟乙烯和能够与偏氟乙烯共聚的其他单体的含偏氟乙烯单体进行悬浮聚合的工序，在所述工序中，在偏氟乙烯成为超临界状态的温度条件下进行聚合，所述含偏氟乙烯单体被一次性投入。

公开(公告)号：CN110229255A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910069020.7

申请日：2019-01-24

Applicant: 株式会社吴羽

Inventor： 宫下达明 ,  五十岚民人 ,  堺勇树 ,  山根拓也

IPC: C08F14/22 ,  C08F2/18

Abstract: 本发明题为“偏氟乙烯聚合物的制造方法”。本申请实现在更短时间内且更简便地制造偏氟乙烯聚合物的方法。通过将水和聚合初始温度下的含偏氟乙烯单体的密度为0.580g/cm3～0.660g/cm3的量的含偏氟乙烯单体供给至反应器，将含偏氟乙烯单体，在使偏氟乙烯成为超临界状态的条件下，在水中进行悬浮聚合来制造偏氟乙烯聚合物。