太阳能电池用导电性糊组合物

    公开(公告)号:CN103797584A

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN201280038102.1

    申请日:2012-06-22

    Abstract: 本发明提供一种在烧成贯通时容易控制电极材料的侵入量并且可容易地得到欧姆接触的太阳能电池用导电性糊组合物。太阳能电池(10),虽然采用烧成贯通法设置受光面电极(20),但由于该受光面电极(20)由含有玻璃的厚膜银构成,该玻璃含有0.05~5.0(摩尔%)的SO2,所以该厚膜银糊不用使Li、Na、K等碱金属量增加或者变更组合,保持合适的浸蚀性的同时使玻璃软化时的粘性降低。因此,由于在受光面电极(20)和n层(14)的界面形成均匀的薄玻璃层,所以可得到电特性优异的太阳能电池。

    太阳能电池用导电性糊组合物

    公开(公告)号:CN102959721A

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201180032356.8

    申请日:2011-06-17

    Abstract: 本发明提供一种太阳能电池用导电性糊组合物,其在n层薄的浅结发射极结构的太阳能电池中采用烧成贯通法形成电极时,容易控制电极材料的侵入量,并且可容易地得到欧姆接触。受光面电极由相对于100重量份的银在1~10重量份的范围含有铅玻璃的厚膜银构成,所述铅玻璃是下述组成的铅玻璃,含有20~62摩尔%的范围内的PbO;1~18摩尔%的范围内的B2O3、18~65摩尔%的范围内的SiO2,并且Pb/Si摩尔比在0.5~1.7的范围内;0.6~18摩尔%的范围内的Li2O;0~6摩尔%的范围内的Al2O3;0~6摩尔%的范围内的TiO2;0~30摩尔%的范围内的ZnO;0~6摩尔%的范围内的P2O5;0~4摩尔%的范围内的Sb2O5的比例,所以尽管线宽度变细为100μm左右,也可在其与n层之间得到良好的欧姆接触,接触电阻变低。

    太阳能电池用导电性糊组合物和太阳能电池

    公开(公告)号:CN103797584B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201280038102.1

    申请日:2012-06-22

    Abstract: 本发明提供一种在烧成贯通时容易控制电极材料的侵入量并且可容易地得到欧姆接触的太阳能电池用导电性糊组合物。太阳能电池(10),虽然采用烧成贯通法设置受光面电极(20),但由于该受光面电极(20)由含有玻璃的厚膜银构成,该玻璃含有0.05~5.0(摩尔%)的SO2,所以该厚膜银糊不用使Li、Na、K等碱金属量增加或者变更组合,保持合适的浸蚀性的同时使玻璃软化时的粘性降低。因此,由于在受光面电极(20)和n层(14)的界面形成均匀的薄玻璃层,所以可得到电特性优异的太阳能电池。

    太阳能电池用导电性糊组合物

    公开(公告)号:CN102959721B

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201180032356.8

    申请日:2011-06-17

    Abstract: 本发明提供一种太阳能电池用导电性糊组合物,其在n层薄的浅结发射极结构的太阳能电池中采用烧成贯通法形成电极时,容易控制电极材料的侵入量,并且可容易地得到欧姆接触。受光面电极由相对于100重量份的银在1~10重量份的范围含有铅玻璃的厚膜银构成,所述铅玻璃是下述组成的铅玻璃,含有20~62摩尔%的范围内的PbO;1~18摩尔%的范围内的B2O3、18~65摩尔%的范围内的SiO2,并且Pb/Si摩尔比在0.5~1.7的范围内;0.6~18摩尔%的范围内的Li2O;0~6摩尔%的范围内的Al2O3;0~6摩尔%的范围内的TiO2;0~30摩尔%的范围内的ZnO;0~6摩尔%的范围内的P2O5;0~4摩尔%的范围内的Sb2O5的比例,所以尽管线宽度变细为100μm左右,也可在其与n层之间得到良好的欧姆接触,接触电阻变低。

    太阳能电池用基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN104241104A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410272789.6

    申请日:2014-06-18

    Abstract: 本发明提供一种硅基板及其制造方法,能够不使太阳能电池的制造工序复杂化而兼顾抑制电流的损失和增大电压。在从p型硅基板的一面扩散磷来制造太阳能电池用基板时,向氧氯化磷溶液中以1000毫升/分钟以下的少的流量供给氮气而得到掺杂用混合气体。因此,被导入加热炉内的掺杂用混合气体中的氧氯化磷浓度变低,所以在基板表面沉积的PSG层变得比较薄,能够降低基板表面的磷浓度的最大值,所以延长热处理时间并加深扩散深度,能够容易地实现平均浓度为(1.0~4.0)×1020个/cm3、在50nm深度的浓度为(0.10~1.6)×1020个/cm3,薄膜电阻为70~120Ω/□。

Patent Agency Ranking