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公开(公告)号:CN1329184A
公开(公告)日:2002-01-02
申请号:CN01122193.3
申请日:2001-06-06
Applicant: 株式会社东金
Inventor: 佐藤忠邦 , 远藤和光
IPC: C30B19/02 , C30B29/28
CPC classification number: H01F10/245 , H01F41/28
Abstract: 一种通过液相生长方法在石榴石基底上生长的用于铋取代的石榴石厚膜材料,该材料含有作为主要成分的Gd、Yb、Bi、Fe和Al,其中,石榴石厚膜的组成由下列通式表示:Gd