公开(公告)号：CN1872900B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200610083480.8

申请日：2006-05-30

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴钟大 ,  孔铉九 ,  李凤祥 ,  孙祯炫

IPC: C08J5/14

Abstract: 公开了化学机械抛光(CMP)浆液组合物。该化学机械抛光浆液(CMP)组合物包括：二氧化铈研磨剂；重均分子量为50,000-500,000的聚羧酸或其盐；醇化合物和水。优选地，相对于总的浆液组合物，该二氧化铈研磨剂的量为0.1-20％重量比，该聚羧酸或其盐的量为0.01-20％重量比，该醇化合物的量为0.001-10％重量比，且该浆液组合物具有5-10的pH值。该CMP浆液组合物用于STI(浅槽隔离)方法的CMP过程以形成多层结构，增强抛光均匀性，并抑制晶片的凹陷和侵蚀。

公开(公告)号：CN1872900A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610083480.8

申请日：2006-05-30

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴钟大 ,  孔铉九 ,  李凤祥 ,  孙祯炫

IPC: C08J5/14

Abstract: 公开了化学机械抛光(CMP)浆液组合物。该化学机械抛光浆液(CMP)组合物包括：二氧化铈研磨剂；重均分子量为50,000－500,000的聚羧酸或其盐；醇化合物和水。优选地，相对于总的浆液组合物，该二氧化铈研磨剂的量为0.1－20％重量比，该聚羧酸或其盐的量为0.01－20％重量比，该醇化合物的量为0.001－10％重量比，且该浆液组合物具有5－10的pH值。该CMP浆液组合物用于STI(浅槽隔离)方法的CMP过程以形成多层结构，增强抛光均匀性，并抑制晶片的凹陷和侵蚀。