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公开(公告)号：CN118630068A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410028944.3
申请日：2024-01-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；碳化硅层，设置在第一电极与第二电极之间，包含n型的第一碳化硅区域；氮化钛层，设置在第一电极与第一碳化硅区域之间；以及中间层，设置在氮化钛层与第一碳化硅区域之间，包含氮化硅。
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