公开(公告)号：CN118693033A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310864440.0

申请日：2023-07-14

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 松尾一辉 ,  新井雅俊 ,  藤本理惠

IPC: H01L23/498

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置。一种半导体装置，其具有：金属膜，设置于半导体芯片之上；绝缘膜，设置于金属膜之上，具有开口部；接合材料，设置于开口部内的金属膜之上，与金属膜接合；以及连接器，所述连接器具有：接合面；以及环状槽，设置于接合面，沿着接合面的外周内径为外径的60％以上且90％以下，连接器的接合面与接合材料接合。

公开(公告)号：CN118676104A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202310851151.7

申请日：2023-07-12

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 藤本理惠 ,  松尾一辉 ,  泉泽优

IPC: H01L23/498

Abstract: 实施方式涉及半导体装置。半导体装置具有金属基座、从所述金属基座分离的端子、半导体芯片、连接部件和导电部件。所述半导体芯片具有与所述金属基座连接的背面侧电极和设置于与所述背面侧电极相反侧的表面上的表面侧电极。所述连接部件具有与所述半导体芯片的所述表面侧电极连接的第1端部和与所述端子连接的第2端部。所述导电部件设置于所述半导体芯片的所述表面侧电极上，将所述表面侧电极的未与所述连接部件的所述第1端部连接的区域覆盖。