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公开(公告)号：CN111684587A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201880088817.5
申请日：2018-08-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 半导体装置具备并联连接的多个半导体元件单元。半导体元件单元包括：第一金属部件；第二金属部件，与所述第一金属部件对置；至少一个半导体元件，配置于所述第一金属部件与所述第二金属部件之间；树脂部件，在所述第一金属部件与所述第二金属部件之间密封所述半导体元件；强化部件，以包围所述第一金属部件与所述第二金属部件的方式设置，且比所述树脂部件的强度高。
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公开(公告)号：CN111684587B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201880088817.5
申请日：2018-08-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 半导体装置具备并联连接的多个半导体元件单元。半导体元件单元包括：第一金属部件；第二金属部件，与所述第一金属部件对置；至少一个半导体元件，配置于所述第一金属部件与所述第二金属部件之间；树脂部件，在所述第一金属部件与所述第二金属部件之间密封所述半导体元件；强化部件，以包围所述第一金属部件与所述第二金属部件的方式设置，且比所述树脂部件的强度高。
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公开(公告)号：CN112655285A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201880097289.X
申请日：2018-10-05
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 提供一种即使在内部的半导体芯片的一部分产生了短路故障的情况下也抑制外封装破裂的隐患的半导体封装。半导体封装具备：固定子模块(1)的金属制的冷却器(3)、固定于冷却器(3)的树脂制的外周侧壁(4)以及固定于外周侧壁(4)的金属制的上板(5)。冷却器(3与外周侧壁(4)利用紧固部件(5a)紧固，上板(5)与外周侧壁(4)利用紧固部件(5a)紧固。在子模块内的压力急剧上升了的情况下，上板(5)整体一边大幅弯曲一边变形，防止内压上升所引起的半导体封装的破坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103314517B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201280004996.2
申请日：2012-01-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H02M7/5387 , H02M7/483 , H02M7/487 , H02M7/497 , H02M2007/4835
Abstract: 具有：逆变换装置（INVU1～INVUn），输出n（n是自然数）个互相绝缘的3电平电压；以及逆变换装置（INVUS），将逆变换装置（INVU1～INVUn）的输入直流电力压VDC的二分之一或者三分之一的电压VDCS作为输入直流电力压，输出与逆变换装置（INVU1～INVUn）绝缘的3电平电压。并且，将逆变换装置（INVU1～INVUn）和逆变换装置（INVu）串行级联，输出最大VDC×n＋VDCS的电压。
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公开(公告)号：CN103314517A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201280004996.2
申请日：2012-01-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H02M7/5387 , H02M7/483 , H02M7/487 , H02M7/497 , H02M2007/4835
Abstract: 具有：逆变换装置（INVU1～INVUn），输出n（n是自然数）个互相绝缘的3电平电压；以及逆变换装置（INVUS），将逆变换装置（INVU1～INVUn）的输入直流电力压VDC的二分之一或者三分之一的电压VDCS作为输入直流电力压，输出与逆变换装置（INVU1～INVUn）绝缘的3电平电压。并且，将逆变换装置（INVU1～INVUn）和逆变换装置（INVu）串行级联，输出最大VDC×n＋VDCS的电压。
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公开(公告)号：CN110050341B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201780075662.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/492 , H01L25/18 , H01L23/367
Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第1金属板、第2金属板和2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板上。上述2个以上的半导体单元分别包含第1金属部件、第2金属部件和半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。
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公开(公告)号：CN112655285B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201880097289.X
申请日：2018-10-05
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 提供一种即使在内部的半导体芯片的一部分产生了短路故障的情况下也抑制外封装破裂的隐患的半导体封装。半导体封装具备：固定子模块(1)的金属制的冷却器(3)、固定于冷却器(3)的树脂制的外周侧壁(4)以及固定于外周侧壁(4)的金属制的上板(5)。冷却器(3与外周侧壁(4)利用紧固部件(5a)紧固，上板(5)与外周侧壁(4)利用紧固部件(5a)紧固。在子模块内的压力急剧上升了的情况下，上板(5)整体一边大幅弯曲一边变形，防止内压上升所引起的半导体封装的破坏。
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公开(公告)号：CN110050341A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780075662.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第1金属板、第2金属板和2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板上。上述2个以上的半导体单元分别包含第1金属部件、第2金属部件和半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。
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