公开(公告)号：CN104064565B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201310388816.1

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤真澄 ,  石川贵之 ,  藤井章辅 ,  西原清仁

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明涉及存储器装置。根据一个实施例的存储器装置包括：衬底；被层叠在所述衬底上的两个或更多个电阻变化型存储器基元；被层叠在所述衬底上的两个或更多个晶体管；以及被层叠在所述衬底上的两个或更多个布线。所述存储器基元之一和所述晶体管之一经由所述布线之一而彼此连接。

公开(公告)号：CN104064565A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310388816.1

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤真澄 ,  石川贵之 ,  藤井章辅 ,  西原清仁

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明涉及存储器装置。根据一个实施例的存储器装置包括：衬底；被层叠在所述衬底上的两个或更多个电阻变化型存储器基元；被层叠在所述衬底上的两个或更多个晶体管；以及被层叠在所述衬底上的两个或更多个布线。所述存储器基元之一和所述晶体管之一经由所述布线之一而彼此连接。