公开(公告)号：CN106531625A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610239950.9

申请日：2016-04-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白野贵士 ,  藤井美香 ,  东和幸

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高对贴合在支撑衬底的晶片从背面侧进行研磨而制造的半导体装置的良率的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包含形成步骤、贴合步骤、及薄化步骤这3个步骤。形成步骤是将表面设置着半导体元件的晶片的周缘部去除到从晶片的表面侧起为至少200μm以上的深度为止，在晶片的表面侧周缘形成切口部。贴合步骤是将晶片的表面贴合在支撑衬底。薄化步骤是对晶片从背面侧进行研磨而使晶片薄化至小于200μm的厚度为止。

公开(公告)号：CN106531624A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610237027.1

申请日：2016-04-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤井美香 ,  东和幸 ,  津村一道 ,  白野贵士

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L21/265 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明的实施方式提供一种通过抑制研削步骤中的元件基板及支撑基板的翘曲增加，来抑制研削步骤后的元件基板及支撑基板的翘曲，从而能够正常进行以后的步骤的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包含设置步骤、贴合步骤、及薄化步骤的3个步骤。设置步骤是将缓和利用研削而薄化的元件基板内的翘曲的缓和层设置在支撑基板。贴合步骤是将元件基板贴合在设置有缓和层的支撑基板。薄化步骤是将由支撑基板支撑的元件基板研削并薄化。