公开(公告)号：CN102201283A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110051302.8

申请日：2011-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水俊之 ,  杉浦政幸

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/002 ,  H01G4/38 ,  H01L23/522 ,  H01L27/02 ,  H04M1/02

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够在抑制有源元件中处理的信号的影响的同时得到足够的电容密度的电容器、集成装置、高频转换装置及电子设备。本发明的实施方式涉及的集成装置具备：基板，具有绝缘层和半导体层，所述半导体层设置在上述绝缘层之上，包含有源区域和与上述有源区域电气性分离地设置的伪有源区域；有源元件，形成在上述有源区域中；第一电极和第二电极，相互对置地配置在上述伪有源区域之上；以及第一电介质部，设置在上述第一电极与上述第二电极之间。

公开(公告)号：CN102201283B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201110051302.8

申请日：2011-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水俊之 ,  杉浦政幸

IPC: H01L27/02 ,  H01G4/00 ,  H01G4/002 ,  H01G4/38 ,  H01L23/522 ,  H04M1/02

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够在抑制有源元件中处理的信号的影响的同时得到足够的电容密度的电容器、集成装置、高频转换装置及电子设备。本发明的实施方式涉及的集成装置具备：基板，具有绝缘层和半导体层，所述半导体层设置在上述绝缘层之上，包含有源区域和与上述有源区域电气性分离地设置的伪有源区域；有源元件，形成在上述有源区域中；第一电极和第二电极，相互对置地配置在上述伪有源区域之上；以及第一电介质部，设置在上述第一电极与上述第二电极之间。