光耦合装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102916655B

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201210057009.7

    申请日:2012-03-06

    CPC classification number: H03F1/083 H03F3/087 H03F2200/453

    Abstract: 本发明提供一种能够在维持抗噪声特性的同时缩小半导体芯片的光耦合装置。具有发光元件、第一和第二光电二极管、第一和第二反相放大器及比较器。第一光电二极管将接收的光信号转换为第一电信号。第一反相放大器具有并联连接的第一反馈电阻和第一运算放大器,其输入端与第一光电二极管的阴极相连,从输出端输出第一信号。第二反相放大器具有并联连接的第二反馈电阻和第二运算放大器,输入端与第二光电二极管的阴极相连,从输出端输出第二信号。比较器接收第一和第二信号,输出比较放大后的信号。第一光电二极管的第一结电容与第一反馈电阻之积及第二光电二极管的第二结电容与第二反馈电阻之积被设定为相同值。第二结电容被设定为小于第一结电容。

    光耦合装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102916655A

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201210057009.7

    申请日:2012-03-06

    CPC classification number: H03F1/083 H03F3/087 H03F2200/453

    Abstract: 本发明提供一种能够在维持抗噪声特性的同时缩小半导体芯片的光耦合装置。具有发光元件、第一和第二光电二极管、第一和第二反相放大器及比较器。第一光电二极管将接收的光信号转换为第一电信号。第一反相放大器具有并联连接的第一反馈电阻和第一运算放大器,其输入端与第一光电二极管的阴极相连,从输出端输出第一信号。第二反相放大器具有并联连接的第二反馈电阻和第二运算放大器,输入端与第二光电二极管的阴极相连,从输出端输出第二信号。比较器接收第一和第二信号,输出比较放大后的信号。第一光电二极管的第一结电容与第一反馈电阻之积及第二光电二极管的第二结电容与第二反馈电阻之积被设定为相同值。第二结电容被设定为小于第一结电容。

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