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公开(公告)号：CN101552014A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910138832.9
申请日：2006-12-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据本发明的实施例，一种数据读/写装置，它包括记录层和对记录层施加电压、在记录层中产生电阻变化并记录数据的装置。所述记录层由含有至少两种阳离子元素的复合化合物组成，其中至少一种所述阳离子元素是具有电子不完全填充的d轨道的过渡元素，且相邻阳离子元素间的最短距离在0.32nm或以下。
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公开(公告)号：CN1295714A
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：CN99804570.5
申请日：1999-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F1/059
Abstract: 磁铁粉末具有可以用(R1XR2YBZT100－X－Y－Z)100－QNQ(式中,R1表示从稀土族元素中选出来的至少一种的元素,R2表示从Zr、Hf和Se中选出来的至少一种的元素,T表示从Fe和Co中选出来的至少一种的元素,X、Y、Z和Q分别是满足2原子%≤X、0.01原子%≤Y、4≤X+Y≤20原子%、0≤Z≤10原子%、0.1≤Q≤20原子%的数。)表示的组成,而且,以TbCu7式晶相为主相。在这样的磁铁粉末中,最大直径为22微米的微小粒子的比率定为20重量%以下。或者,构成磁铁粉末的粒子的表面粗糙度用JIS B 0601规定的最大高度RY来说,定为5微米以下。倘采用这样的磁铁粉末则可以再现性良好地得到优良的磁学特性。
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公开(公告)号：CN1983619A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610168972.7
申请日：2006-12-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据本发明的实施例，一种数据读/写装置，它包括记录层和对记录层施加电压、在记录层中产生电阻变化并记录数据的装置。所述记录层由含有至少两种阳离子元素的复合化合物组成，其中至少一种所述阳离子元素是具有电子不完全填充的d轨道的过渡元素，且相邻阳离子元素间的最短距离在0.32nm或以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1913037A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610109186.X
申请日：2006-08-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/3418 , G11C13/0033 , G11C13/0069 , G11C16/30 , G11C16/3431
Abstract: 根据本发明的一个方面的一种数据记录装置，包括：存储芯片中的存储单元阵列；执行存储单元阵列的数据更新的更新电路；在短于数据保持时间的时间间隔，执行更新并管理数据保持时间的更新控制电路；以及在数据记录装置从外部装置中被移除的状态下，向更新电路和更新控制电路供给电源电势的内部电源。
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公开(公告)号：CN101552014B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910138832.9
申请日：2006-12-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据本发明的实施例，一种数据读/写装置，它包括记录层和对记录层施加电压、在记录层中产生电阻变化并记录数据的装置。所述记录层由含有至少两种阳离子元素的复合化合物组成，其中至少一种所述阳离子元素是具有电子不完全填充的d轨道的过渡元素，且相邻阳离子元素间的最短距离在0.32nm或以下。
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公开(公告)号：CN1177334C
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN99804570.5
申请日：1999-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F1/059
Abstract: 磁铁粉末具有可以用(R1XR2YBZT100-X-Y-Z)100-QNQ(式中，R1表示从稀土族元素中选出来的至少一种的元素，R2表示从Zr、Hf和Sc中选出来的至少一种的元素，T表示从Fe和Co中选出来的至少一种的元素，X、Y、Z和Q分别是满足2原子%≤X、0.01原子%≤Y、4≤X+Y≤20原子%、0≤Z≤10原子%、0.1≤Q≤20原子%的数。)表示的组成，而且，以Tb Cu7式晶相为主相。在这样的磁铁粉末中，最大直径为22微米的微小粒子的比率定为20重量%以下。或者，构成磁铁粉末的粒子的表面粗糙度用JIS B 0601规定的最大高度RY来说，定为5微米以下。倘采用这样的磁铁粉末则可以再现性良好地得到优良的磁学特性。
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公开(公告)号：CN1983619B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200610168972.7
申请日：2006-12-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据本发明的实施例，一种数据读/写装置，它包括记录层和对记录层施加电压、在记录层中产生电阻变化并记录数据的装置。所述记录层由含有至少两种阳离子元素的复合化合物组成，其中至少一种所述阳离子元素是具有电子不完全填充的d轨道的过渡元素，且相邻阳离子元素间的最短距离在0.32nm或以下。
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公开(公告)号：CN101136226A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710147251.2
申请日：2007-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B9/04
CPC classification number: G11B9/02 , B82Y10/00 , G11B9/1481
Abstract: 本发明的课题为利用高精度的位置控制技术实现高记录密度。本发明的实施例涉及的信息记录再生装置包括：第1及第2数据头(14)；具有利用第1数据头读出记录数据的数据区域及利用第2数据头读出伺服脉冲信号的伺服脉冲区域的记录媒体(12)；根据伺服脉冲信号对第2数据头进行定位的驱动器(17)；以及覆盖伺服脉冲区域的表面，而不覆盖数据区域表面的电阻体，利用记录媒体(12)的电阻变化对记录数据及伺服脉冲信号进行记录。
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