公开(公告)号：CN101350350A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810137968.3

申请日：2008-07-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡边浩志 ,  木下敦宽 ,  小林茂树 ,  萩岛大辅

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115

CPC classification number: G04F10/10 ,  G11C16/0408 ,  G11C2216/10 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11558 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种时效装置，具备：半导体衬底、被形成在第1元件区域内的第1及第2扩散层、被形成在第1及第2扩散层间的沟道区域上的浮栅、以及相对于浮栅在横方向上隔开一定间隔并排形成的控制栅电极。浮栅与控制栅电极的耦合电容大于浮栅与半导体衬底的耦合电容。